保持衬底用的装置制造方法及图纸

技术编号:3204689 阅读:134 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种用于生产光电元件的容纳衬底(S)特别是晶片或硅衬底用的装置。本发明专利技术的装置包括两个互相对置的壁(1),其中设置至少两个连接壁(1)的棒状承载元件(2,3),而承载元件(2,3)设有制动机构(5),用于保持沿平行于壁(1)取向的垂直位置的承载元件上支承的衬底(S)。本发明专利技术的目的是使衬底能够在处理浴槽中浮动而同时能最容易地装入和取出。为此,设置至少一个棒状对置承载元件,该元件连接两壁并以这样的方式相对于承载元件配置,使得能限制衬底(S)相对于壁(1)的垂直移动,并能够以相对于垂直方向的角度装入或取出这些衬底。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保持衬底用的装置
技术介绍
这样一种装置用于水平或垂直放置生产光电元件用的多个衬底如晶片或硅衬底。该内部带有衬底的装置浸入处理浴槽以便蚀刻、清洗或干燥,而后重新升出。根据现有技术,此类也称为盘或承载器的装置通常包括四个周壁。在两个面对面的纵向壁之内有垂直走向的缝,其中将衬底插入到边缘上。这两个纵向壁能够在其下边缘的区域中向内弯曲,使得衬底不会在底部处掉出。这样一种装置例如可从US 5,299,901中得知。在EP 0 385 536、US 4,963,069以及US 4,722,752中描述了类似的装置。一种此类装置例如从DE 42 23 326 B1及DE 44 28 169 C2中得知。利用这种装置,这些衬底被支承在几个互相连接两个相邻的面对面的壁的棒状承载元件上。这些装置没有带缝的纵向壁。在其实际应用中,有时出现,在蚀刻过程中,在腐蚀性浴槽中产生的氢以气泡形式附着在衬底表面上。由于这一点,衬底能够浮出该装置并在腐蚀性浴槽中浮动。移出此种浮动的衬底需要格外费力。在此期间可能产生不希望有的处理液的污染。从DE 43 00 205 A1得知一种保持衬底用的盒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生产具有两个面对面的壁(1)的光电元件的保持衬底(S)特别是晶片或硅衬底用的装置,其中设置至少两个用于连接该壁(1)的棒状承载元件(2,3),其中承载元件(2,3)设置有一个制动机构(5),用于保持由此沿平行于壁(1)取向的垂直方位而被支承的衬底(S);其特征在于:设置至少一个连接两壁(1)的棒状对置承载元件(4),后者相对于承载元件(2,3)配置;由此限制了衬底(S)相对于壁(1)的垂直移动,并可以相对于垂直方向(V)倾斜地装入或取出衬底(S )。

【技术特征摘要】
DE 2002-4-5 10215283.71.一种用于生产具有两个面对面的壁(1)的光电元件的保持衬底(S)特别是晶片或硅衬底用的装置,其中设置至少两个用于连接该壁(1)的棒状承载元件(2,3),其中承载元件(2,3)设置有一个制动机构(5),用于保持由此沿平行于壁(1)取向的垂直方位而被支承的衬底(S);其特征在于设置至少一个连接两壁(1)的棒状对置承载元件(4),后者相对于承载元件(2,3)配置;由此限制了衬底(S)相对于壁(1)的垂直移动,并可以相对于垂直方向(V)倾斜地装入或取出衬底(S)。2.如权利要求1中所述的装置,其特征在于,对置承载元件(4)被安装在壁(1)上,最好是可以拆卸的。3.如权利要求1或2中所述的装置,其特征在于,当取下对置承载元件(4)时,也可以沿垂直方向(V)装入或取出衬底(S)。4.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,承载元件(2,3)中的至少一个具有作为制动机构的缝型凹槽或齿(5)。5.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,齿(5)被安装在承载元件(2,3)上,使得齿(5)的齿底(18)处在承载元件(2,3)的上顶点线(17)上。6.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,对置承载元件(4)具有指向承载元件(2,3)方向的制成如缝状凹槽或齿(5)的制动机构。7.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,齿(5)被安装在承载元件(4)上,使得齿(5)的齿底(18)处在承载元件(4)的下顶点线(19)上。8.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,对置承载元件(4)相对于承载元件(2,3)安置或制成,使得当产生沿垂直方向(V)的移动时,衬底(S)始终被保持在该制动机构中。9.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,承载元件(2,3)有一排泄脊(7a),后者主要取垂直向下走向。10.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,对置承载元件(4)有一个补充排泄脊(7b),该脊主要沿垂直向上走向。11.如上述权利要求中任何一项所述的装置,其特征在于,排泄脊(7a)和/或补充排泄脊...

【专利技术属性】
技术研发人员:M尼泽J弗兰茨克J施维肯迪克
申请(专利权)人:阿斯特克半导体技术有限责任公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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