一种层转移结构及其方法技术

本发明专利技术提供一种制造半导体器件的技术。在一个方面，提供一种层转移结构。层转移结构包括具有多孔区的载体衬底，多孔区具有调制的孔隙度以及在其中限定分离平面的注入元素。在另一个方面，提供一种形成层转移结构的方法。在又一个方面，提供一种形成三维集成结构的方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造，更具体地，涉及在制造半导体器件中使用的层转移技术。
技术介绍
微电子互连对于超大规模集成电路(GSI)的半导体芯片内的最佳性能、能量损耗以及信号完整性是关键的。随着互连的所需尺寸减小到可以用于超大规模集成电路，信号延迟和信号保真度问题明显制约整个系统的性能，例如最大可支持的芯片时钟频率。为了说明这个问题，已经对基于三维集成和三维器件堆层的新型结构进行了研究，并且在当前GSI设计中实施。三维集成的主要优点包括布线的最长互连的长度减小了1/S1/2，其中S是三维堆层中的层数，并且全局时钟频率相应增大S3/2。参见，例如，J.Joyner et al.，A Three-dimensional Stochastic Wire LengthDistribution for Variable Separation of Strata，Proceedings of theIEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGYCONFERENCE，132-34(2000)。因此，三维互连技术提供了更高的互连密度和系统速度。分层技术，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层转移结构，包括具有多孔区的载体衬底，所述多孔区具有调制的孔隙度以及在其中限定分离平面的注入元素。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬W贝德尔，基思爱德华弗格尔，布鲁斯肯尼思佛曼，萨姆帕斯普拉斯霍萨曼，德温得拉K萨达纳，安娜旺达托普尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]