制备间隔可调的纳电极的方法技术

制备间隔可调的纳电极的方法涉及纳米电极的加工和纳米制备，制备方法为：先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯／聚甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酰胺双层胶，用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，将金纳米线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度为预设值，然后等待至电流突然降为零，此时金纳米线已经从中间处断开，断口处形成电极。电流强度预设值为０＜Ｉ＜１０毫安。金纳米线厚度大于２０纳米，小于５０纳米，金纳米线的宽度在５０～５００纳米之间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种间隔可调的纳电极的制备方法，特别涉及纳米电极的加工和纳米制备。
技术介绍
随着半导体工业和大规模集成电路的发展，单个半导体器件的尺寸越做越小，每平方厘米上可以容纳的器件数已经达到109个，集成芯片在2002年已经做到0.13微米线宽，现在已有90nm线宽的报道。整个半导体工业的发展已经进入深亚微米时代，正在向纳米时代迈进，纳米器件将有可能逐渐取代微电子器件。当前一些特殊的纳米结构及分子已从原理上显示出良好的器件特性，并将成为纳米器件非常重要的组成部分。但是由于纳米结构及分子本身极小的尺度，从实用化的角度人们需要一种良好且稳定的电极作为纳米结构和分子与外部微电极的连接，这种电极由于其间隔很小(一般在几十纳米甚至更小)，故称为纳米电极，简称为纳电极。显然，性质稳定的纳电极对于人们探索和研究纳米结构和分子的物理特性也是必不可少的。已有一些制备纳电极的报道，例如美国《应用物理快报》(Appl.Phys.Lett.2002 80 865)介绍利用电子束曝光法制备小于10纳米间隔的电极的方法，其主要步骤是用电子束将衬底上的光刻胶曝光，刻蚀出模版，再将所需要的金属沉积在模版上；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备间隔可调的纳电极的方法，其特征在于制备方法为：ａ、先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯／聚甲基丙烯酸甲酯－甲基丙稀酰胺双层胶，ｂ、用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，ｃ、将金纳米 线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度为预设值，然后等待至电流突然降为零，此时金纳米线已经从中间处断开，断口处形成电极。

【技术特征摘要】
1.一种制备间隔可调的纳电极的方法，其特征在于制备方法为a、先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙稀酰胺双层胶，b、用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，c、将金纳米线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琨，王晓平，侯建国，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]