半导体二极管电极的制造方法技术

一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：（１）在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；（２）然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；（３）对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；（４）对带上述金属层的硅片加温进行合金化片理。本发明专利技术由于在镀镍时可避免有原区与电镀液直接接触，因此有原区表面带来的污染从理论上为零，从而改善了半导体器件电极的欧姆接触，降低了电力消耗，提高了工作可靠性以及降低成本，对提高半导体二极管的市场竞争力以及电子产品小型化、便携式以及低电力损耗具有重要意义。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件电极的制造方法，具体涉及半导体二极管金属电极的制造方法。
技术介绍
众所周知，当今随着半导体技术的发展，电子产品越来越趋向于小型化和便携式，这客观上要求半导体器件的制作也要向小型化、低电力消耗以及高可靠性方向发展。二极管作为一种典型的半导体器件应用面广量大，其小型化程度以及低电力消耗和高可靠性等性能直接影响着电子产品的小型化和便携式水平。然而，在二极管的设计和制作过程中，电极对产品低电力消耗以及可靠性等性能的影响是不容忽视的。图1表示了以往二极管第一种典型电极构造示意图，其电极的构成是在形成半导体器件硅片A的正反两面直接电镀或化学镀金属镍B形成。这种方法的特点是硅片A正反两面同时电镀，工艺非常简单，尤其对低价二极管器件非常适用，因此一直延用至今。但是，这种方法也存在下列问题1、由于这种方法在工艺上要经过电镀(Ni)、烧结(合金化处理)、腐蚀(光刻)等工序。众所周知，镍是非常容易氧化的金属。为了避免或减少氧化，在烧结工序中，加熱和冷却時圆片的周围气氛很难控制；腐蚀工序要求也非常严格，因此，在批量生产时管理和控制难度很大，容易产生电接触阻值的偏差。2、为了避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：　　　　（１）、在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；　　　　（２）、然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；　　　　（３）、对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；　　　　（４）、对带上述金属层的硅片加温进行合金化处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于依次包括以下步骤(1)、在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；(2)、然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；(3)、对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；(4)、对带上述金属层的硅片加温...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴念博，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]