制造多晶硅层的方法技术

一种制造多晶硅层的方法，包括：首先，提供一基板，并形成一绝缘层于基板上。接着，形成一非晶硅层于绝缘层上，非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区。然后，将非晶硅层完全熔融为一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区。第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅厚区的底部中央，第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅薄区的底部中央，第一熔融态非晶硅区的温度低于第二熔融态非晶硅区的温度。接着，由第一熔融态非晶硅区往第二熔融态非晶硅区结晶，以形成多晶硅层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种，且特别是有关一种将非晶硅厚区及非晶硅薄区全熔融后而侧向结晶成多晶硅层的方法。
技术介绍
在科技发展日新月异的现今时代中，显示面板已被广泛地被运用在笔记本计算机、个人数字助理及移动电话等可携式电子装置上。其中，显示面板可以分为非多晶硅(amorphous silicon，α-Si)薄膜晶体管(thinfilm transistor，TFT)显示面板及低温多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)TFT显示面板。LTPS TFT显示面板与α-Si TFT显示面板最大差异在于，LTPS TFT显示面板是以激光回火(Laser Annealing)法将α-Si层转变成多晶硅层，大幅地提升薄膜晶体管的电子迁移率(electron mobility)。因此，面板驱动电路及集成电路(integrated circuit，IC)即可被整合到LTPS TFT显示面板上，不需要额外的电路板设计，有助于增加面板及电路设计的灵活度。所以，LTPS TFT显示面板将成为极具潜力的显示面板。请参照图1A至图1D，图中显示台湾专利公告第452892号所揭示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以制造多晶硅层的方法，包括：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一非晶硅层于该绝缘层上，该非晶硅层具有至少一非晶硅厚区及至少一非晶硅薄区，该非晶硅厚区及该非晶硅薄区分别具有一第一厚度及一第二厚度，该第一厚度 大于该第二厚度；将该非晶硅层完全熔融为一熔融态非晶硅层，该熔融态非晶硅层具有一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区，该第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅厚区的底部中央，该第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅薄区的底 部中央，该第一熔融态非晶硅区的底部中央的温度低于该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅...

【技术特征摘要】
1.一种用以制造多晶硅层的方法，包括提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一非晶硅层于该绝缘层上，该非晶硅层具有至少一非晶硅厚区及至少一非晶硅薄区，该非晶硅厚区及该非晶硅薄区分别具有一第一厚度及一第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；将该非晶硅层完全熔融为一熔融态非晶硅层，该熔融态非晶硅层具有一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区，该第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅厚区的底部中央，该第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅薄区的底部中央，该第一熔融态非晶硅区的底部中央的温度低于该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部的温度；以及由该第一熔融态非晶硅区的底部中央往该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部结晶，以形成该多晶硅层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该方法的于形成该非晶硅层于该绝缘层上的步骤中还包括形成一具有该第一厚度的第一非晶硅层于该绝缘层上；以及去除部分的该第一非晶硅层，以形成具有该非晶硅厚区及该非晶硅薄区的该非晶硅层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于该方法的于形成该非晶硅层于该绝缘层上的步骤中还包括形成一具有一第三厚度的第一非晶硅层于该绝缘层上；去除部分的该第一非晶硅层，以暴露部分的该绝缘层；以及形成一具有该第二厚度的第二非晶硅层于部分的该第一非晶硅层及部分的该绝缘层上，使得该第二非晶硅层及部分的该第一非晶硅层形成具有该非晶硅厚区及该非晶硅薄区的该非晶硅层，该第二厚度及该第三厚度的总和为该第一厚度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该基板为玻璃基板。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于该绝缘层为二氧化硅层。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于该形成该多晶硅层的步骤后还包括以下步骤去除部分的该多晶硅层，以形成一多晶硅岛层；掺杂该多晶硅岛层的两端，以形成一重掺杂N型(N+)奥姆接触层于剩余的该多晶硅岛层的两侧上；形成一栅极绝缘层于该N+奥姆接触层及剩余的该多晶硅岛层上；掺杂剩余的该多晶硅岛层的两端，以形成一轻掺杂N型(N-)奥姆接触层于一多晶硅通道层及该N+奥姆接触层之间，该多晶硅信道层的位置是对应于该非晶硅层的该非晶硅厚区的位置；形成一栅极于该多晶硅通道层上的该栅极绝缘层上；形成一介电层于该栅极绝缘层之上，以覆盖该栅极及该栅极绝缘层，该介电层及该栅极绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔，该第一接触孔及该第二接触孔是位于该栅极的两侧外，用以暴露部分的该N+奥姆接触层；形成一源极及一漏极于部分的该介电层上，该源极及该漏极是分别借助该第一接触孔及该第二接触孔与该N+奥姆接触层电性连接，该源极及该漏极的位置对应于该非晶硅层的与该非晶硅厚区相邻的二该非晶硅薄区的位置；形成一护层于该介电层之上，以覆盖该源极及该漏极，该护层是具有一第三接触孔，用以暴露部分的该源极或该漏极；以及形成一铟锡氧化物(ITO)电极于该护层上，该ITO电极是借助该第三接触孔与该源极或该漏极电性连接。7.一种用以熔融非晶硅层的方法，该非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区，该非晶硅厚区的厚度大于该非晶硅薄区的厚度，该方法包括以一准分子激光照射并扫描该非晶硅层，该准分子激光的扫描方向和该非晶硅厚区及该非晶硅薄区的延伸方向呈一夹角；以及将该非晶硅层完全熔融为一熔融态非晶硅层。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于该夹角为45度。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于该以该准分子激光照射并扫描该非晶硅层的步骤前还包括以下步骤提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；以及形成该非晶硅层于该绝缘层上。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于该熔融态非晶硅层具有一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区，该第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅厚区的底部中央，该第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅薄区的底部中央，该第一熔融态非晶硅区的底部中央的温度低于该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部的温度。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于该将该非晶硅层完全熔融为该熔融态非晶硅层的步骤后还包括以下步骤由该第一熔融态非晶硅区的底部中央往该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部结晶，以形成一多晶硅层。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于该形成该多晶硅层的步骤后还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亦伟，张志雄，许宗义，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]