薄膜晶体管的制造方法及其结构技术

一种薄膜晶体管的制造方法及其结构，其中形成薄膜晶体管的多晶硅层的方法至少包括步骤：提供一基板，该基板具有一绝缘表面；在该绝缘表面上形成一非晶硅层；提供一气氛使非晶硅层结晶，以形成一多晶硅层，其中，气氛至少包括氮气和氧气，且具有一氧气浓度范围５０ｐｐｍ与５００００ｐｐｍ之间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFTs)的制造方法及其结构，且特别是涉及一种利用准分子激光回火技术(ELA)低温形成多晶硅薄膜晶体管的方法及其结构。
技术介绍
目前的薄膜晶体管处理技术中，低温多晶硅薄膜晶体管(low temperaturepoly-silicon thin film transistors，LTPS TFTs)技术主要是利用多晶硅形成薄膜晶体管的多晶硅层，以提高晶体管的驱动能力。由于准分子激光回火(Excimerlaser annealing，ELA)法可在低温的状况下形成高品质的多晶硅，可视为低温多晶硅的关键性技术，也是以后制作超高性能低温多晶硅薄膜晶体管的主要技术。传统的ELA工艺包括下列步骤。传统ELA工艺在特定的气氛条件下，将非晶硅(Amorphous Silicon，a-Si)转化成多晶硅(Poly-Silicon，poly-Si)。首先，在一般基板上沉积缓冲/非晶硅层，缓冲层的作用是在避免基板内的杂质因后续较高温的工序而扩散出来。接着，进行适当温度的回火，以去除非晶硅薄膜中的氢含量。在准分子激光结晶前以臭氧水以及氢离子水清洗基板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成薄膜晶体管的多晶硅层的方法，至少包括步骤：提供一基板，该基板具有一绝缘表面；在该绝缘表面上形成一非晶硅层；提供一气氛使该非晶硅层结晶，以形成一多晶硅层，其中，该气氛至少包括氮气和氧气，且具有一氧气浓度范围５０ ｐｐｍ与５００００ｐｐｍ之间。

【技术特征摘要】
1.一种形成薄膜晶体管的多晶硅层的方法，至少包括步骤提供一基板，该基板具有一绝缘表面；在该绝缘表面上形成一非晶硅层；提供一气氛使该非晶硅层结晶，以形成一多晶硅层，其中，该气氛至少包括氮气和氧气，且具有一氧气浓度范围50ppm与50000ppm之间。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述的使该非晶硅层结晶的步骤以激光退火技术完成。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于该氧气浓度优选的介于100ppm与5000ppm。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该多晶硅层的一氧气含量介于2×1019与1×102...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志雄，曹义昌，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]