半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过ＣＭＰ工序在半导体衬底１上形成铜布线６之际所产生的残留物及布线间桥梁９而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线６主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁９。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，特别涉及形成铜布线的方法。
技术介绍
近年来，随着硅半导体制品的微细化和高性能化，铜(Cu)布线得到了广泛应用。因为很难对铜进行干蚀刻，所以在形成铜布线时，一般是进行以下一系列工序(金属镶嵌法)，即干蚀刻布线间绝缘膜而形成布线沟槽的布线沟槽形成工序、利用电解电镀法将铜埋入所形成的布线沟槽中的铜埋入工序以及通过化学机械研磨(CMP)除去剩余的铜膜的铜膜除去工序及平坦化工序。在CMP工序刚刚结束后的半导体衬底的表面上，残留了很多研磨剂及研磨屑等粒子及金属，为除去这些残留物而清洗衬底。因为研磨后的衬底表面的铜布线露出来，所以若除去这些残留物的时候除去得不彻底，就会导致布线性能恶化，特别是会引起布线间的短路。这从半导体器件的性能来看是一个很大的问题。广泛应用RAC清洗法来清洗CMP工序后的半导体衬底。RCA清洗法的具有代表性的清洗工序有利用碱性溶液(氨和过氧化氢溶液的混合溶液APM)除去粒子的工序、利用稀氟酸(HF)除去氧化膜的工序、用酸性溶液(盐酸和过氧化氢溶液的混合溶液HPM)除去金属污染的工序。但是，在对铜布线使用该RCA清洗法的情况下，因为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：化学机械研磨形成在半导体衬底上、由铜形成的金属膜，而在所述半导体衬底上形成由所述金属膜构成的布线的布线工序，和除去在所述布线工序中产生且残留在所述半导体衬底上、使相邻的所述布线间产生无用的导通的布线间桥梁的清洗工序，其特征在于：所述清洗工序，包括：用过氧化氢溶液氧化所述布线间桥梁，使其为氧化铜的氧化工序；以及用草酸溶解并除去所述氧化铜的氧化物除去工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-27 2003-3025901.一种半导体器件的制造方法，包括化学机械研磨形成在半导体衬底上、由铜形成的金属膜，而在所述半导体衬底上形成由所述金属膜构成的布线的布线工序，和除去在所述布线工序中产生且残留在所述半导体衬底上、使相邻的所述布线间产生无用的导通的布线间桥梁的清洗工序，其特征在于所述清洗工序，包括用过氧化氢溶液氧化所述布线间桥梁，使其为氧化铜的氧化工序；以及用草酸溶解并除去所述氧化铜的氧化物除去工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于所述清洗工序在同一个容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚英树，宫田毅，松本宗之，河野宽，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]