蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物，例如含有金属铪的硅酸盐（１０１ａ），在将硅酸盐（１０１ａ）氧化后，对被氧化的硅酸盐（１０１ａ）进行湿蚀刻。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够利用湿蚀刻除去包含铪等金属及硅的化合物的方法及装置、以及使用该类方法及装置的半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，为了一面抑制栅极电流的增大，一面防止场效应型晶体管的驱动电流的降低，已有人研究在栅极绝缘膜使用高介电常数材料。具体地说，有人研究通过使用氧化铪(HfO2相对介电常数ε＝30)或氧化锆(ZrO2相对介电常数ε＝25)等作为栅极绝缘膜材料，来保持所希望的栅极绝缘膜厚度，从而实现减少漏电流(参照例如日本公开特许公报特开2000-49349号公报)。但是，例如使用氧化铪作为栅极绝缘膜材料时，在硅衬底与栅极绝缘膜的界面会形成硅酸盐(硅酸铪)。具体地说，若在衬底上形成由氧化铪和氧化锆等高介电常数材料构成的栅极绝缘膜后进行热处理，栅极绝缘膜会与底层的硅衬底起反应，其结果，会在硅衬底表面附近形成为栅极绝缘膜材料与硅的化合物即氧化不充分的硅酸盐。使用氧化铪膜作为栅极绝缘膜时，作为硅酸盐，会形成氧化不充分的硅酸铪。并且，使用氧化锆膜作为栅极绝缘膜时，作为硅酸盐，会形成氧化不充分的硅酸铪。氧化铪膜和氧化锆膜等的蚀刻除去与氧化硅膜一样，以使用氢氟酸水溶液的湿蚀刻较为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于：包括氧化至少包含金属及硅的化合物的第１工序、及通过湿蚀刻除去被氧化的前述化合物的第２工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-20 42679/20031.一种蚀刻方法，其特征在于包括氧化至少包含金属及硅的化合物的第1工序、及通过湿蚀刻除去被氧化的前述化合物的第2工序。2.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述金属为铪或者锆。3.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述化合物为含氧的硅酸盐化合物。4.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述化合物为金属间化合物。5.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述第1工序包含在含氧的气氛中对前述化合物照射紫外线的工序。6.根据权利要求第5项所述的蚀刻方法，其特征在于前述紫外线的照射，为在前述气氛中一面供应氮气，一面进行。7.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述第1工序包括一面使含氧的液体附着于前述化合物表面，一面对前述化合物照射紫外线的工序。8.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述第1工序包括将前述化合物暴露于含臭氧的溶液中的工序。9.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于在前述第2工序中，使用含氟与氢的溶液作为蚀刻液。10.根据权利要求第9项所述的蚀刻方法，其特征在于前述溶液以气相状态被供应。11.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述金属为铪或锆；在前述第2工序中，使用含氟与氢的溶液作为蚀刻液。12.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述化合物形成于硅区域上；前述第2工序包括除去被氧化的前述化合物，由此使前述硅区域露出的工序。13.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于重复进行包含前述第1工序与前述第2工序的一连串工序。14.根据权利要求第1项所述的蚀刻方法，其特征在于前述第1工序与前述第2工序同时进行。15.一种蚀刻装置，其特征在于包括对设置在前述台上的前述蚀刻对象照射紫外线的光源、及对设置在前述台上的前述蚀刻对象供应蚀刻液的溶液供应部。16.根据权利要求第15项所述的蚀刻装置，其特征在于还包括用以使前述台旋转的旋转机构。17.根据权利要求第15项所述的蚀刻装置，其特征在于还包括对设置在前述台上的前述蚀刻对象物供应氮气的气体供应部。18.一种蚀刻装置，其特征在于包括设置有蚀刻对象的台子、对设置在前述台上的前述蚀刻对象供应含臭氧的溶液的第1溶液供应部及对设置在前述台的前述蚀刻对象...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井真治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]