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蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:3204501
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本发明为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物,例如含有金属铪的硅酸盐(101a),在将硅酸盐(101a)氧化后,对被氧化的硅酸盐(101a)进行湿蚀刻。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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