液晶显示器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种可以通过防止研磨缺陷提高图像质量的液晶显示器件的制造方法。该方法包括：制备第一和第二基板；在所述第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在所述第一定向层上执行研磨工艺和取向排列工艺以提供一致的排列方向；以及在所述第一和第二基板之间形成液晶层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)器件。更具体地说，涉及一种通过防止研磨缺陷以提高画面质量的LCD器件的制造方法。
技术介绍
LCD器件由于厚度薄、重量轻、低功耗等优点，成为引人关注的阴极射线管(CRT)的替代产品。LCD器件通过向具有液态和光学特性的液晶施加电场的方法改变光学各向异性来驱动。LCD器件根据器件中采用的液晶种类分为多种模式。特别地，LCD器件可以分为扭曲向列(TN)模式，其通过对指向矢扭曲90°排列的液晶施加电压控制液晶指向矢；多区域模式，其通过将每个像素分为多个区域以获得宽视角；光学补偿双折射(OCB)模式，其通过在基板外表面形成补偿膜，以补偿光在传播方向上产生的相变；共平面开关(IPS)模式，其通过在一基板上形成两电极，形成与两基板平行的电场；以及垂直排列(VA)模式，其通过采用负型液晶和垂直定向层，将液晶分子的纵(主)轴置于与定向层平面垂直。通常，LCD器件包括滤色片阵列上基板、薄膜晶体管阵列下基板以及液晶层。上、下基板彼此相对，具有介电各向异性的液晶层形成于两基板之间。当LCD器件作为光学装置时，需要按预定方向排列液晶层的液晶分子。从而，定向层、有机聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器件的制造方法，包括：制备第一和第二基板；在所述第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在所述第一定向层上执行研磨和取向排列工艺以提供一致的排列方向；以及在所述第一和第二基板之间形成液晶层。

【技术特征摘要】
KR 2003-8-25 10-2003-0058803;KR 2004-5-31 10-2004-1.一种液晶显示器件的制造方法，包括制备第一和第二基板；在所述第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在所述第一定向层上执行研磨和取向排列工艺以提供一致的排列方向；以及在所述第一和第二基板之间形成液晶层。2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行研磨工艺前执行取向排列工艺。3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行研磨工艺后执行取向排列工艺。4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一定向层的整个表面上执行取向排列工艺。5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一定向层除阶梯部分外的剩余部分上使用掩模执行取向排列工艺。6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的整个表面上的排列方向与取向排列工艺的排列方向相同。7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的整个表面上的预倾角与取向排列工艺的预倾角相同。8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层由聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚乙烯肉桂酸脂、聚偶氮苯、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯乙烯萘酰亚胺、聚酯、聚亚安酯或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种形成。9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述取向排列工艺采用在第一定向层上照射离子束、光或等离子。10.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光包括部分偏振光、线性偏振光和非偏振光。11.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光的波长在200nm到450nm之间。12.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光相对第一基板垂直照射。13.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光相对第一基板倾斜照射。14.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光垂直于研磨工艺的研磨方向偏阵。15.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一定向层同时执行研磨工艺和取向排列工艺。16.按照权利要求1所述的方法，还包括在第二基板上形成第二定向层；以及在第二定向层上执行研磨工艺和取向排列工序。17.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的排列方向与第二定向层的排列方向是相同的工艺。18.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的预倾角与第二定向层的预倾角相同。19.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括在第一基板上形成栅极线、栅极、公共线和多个公共电极；在第一基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在第一基板上形成数据线和源极/漏极；在第一基板上形成钝化层；以及在钝化层上形成多个像素电极。20.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括在第一基板上形成栅极线、栅极、公共线和多个公共电极；在第一基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在第一基板上形成数据线、源极/漏极以及多个像素电极；以及在第一基板上形成钝化层。21.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括在第一基板上形成栅极线和栅极；在第一基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在第一基板上形成数据线和源极/漏极；在第一基板上形成钝化层；以及在钝化层上形成多个像素电极和多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李润復，咸溶晟，朴修贤，南承熙，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]