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本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过ＣＭＰ工序在半导体衬底１上形成铜布线６之际所产生的残留物及布线间桥梁９而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线６主体的情况下，除去残留异物及...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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