【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及，更具体地涉及一种用电子束进行曝光的掩膜制造方法。
技术介绍
用于IC制造的掩膜版通常为缩小数倍的掩膜版。电子束图形曝光主要用于掩膜版的制作。掩膜版制造的第一步是由电路设计者用计算机辅助设计(CAD)系统把电路图完整地描绘出来。然后，将CAD得到的数据信息传送到电子束图像曝光的图形产生器。此后，再把图案转移到涂覆有对电子束敏感的材料的掩膜版上。掩膜版一般是由融凝的硅土基底上覆盖一层铬膜组成。电路图案首先转移到电子敏感层，进而转移到其下的铬膜层，掩膜版的制作便完成了。一组完整的IC工艺流程一般包含多达15到20个不同的掩膜版。每个掩膜版上的图形代表一层IC设计，例如隔离区为一层、栅极区为一层等。为了使不同流程所使用的掩膜版所产生的图案能够对齐，需要利用掩膜版上制作的对齐标记。而为了保证各层掩膜版上制作的电路图案本身是对齐的，也就是说与原始的电路设计产生的图案对应，还需要在各层掩膜版上制作套准标记，利用该标记保证出厂的掩膜版自身是对齐的，其套准误差符合设计的要求。在利用电子束曝光制作掩膜版的过程中，需要在抗蚀剂表面上进行电子束扫描，在此过程中，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用电子束曝光的掩膜版制造方法，包括步骤提供一个接地的掩膜版基底；在所述基底上涂覆抗蚀剂；用电子束曝光所述基底上的多个套准标记图案和电路管芯图案；用电子束曝光所述基底上除上述图案之外的其他图案；对抗蚀剂进行显影；腐蚀未被抗蚀剂覆盖的基底部分，在基底上形成掩膜图案；去除基底上剩余的抗蚀剂。2.如权利要求1所述的方法，还包括在涂覆抗蚀剂之后，对其进行烘烤处理。3.如权利要求2所述的方法，还包括在对抗蚀剂进行显影之后，对抗蚀剂图案进行烘烤，提高其和掩膜版基底的粘附性。4.如权利要求1、2或3所述的方法，其中，所述掩膜版的衬底是融凝硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：李正强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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