显示装置及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是提供一种显示装置，可以对应影像信号的亮度正确显示影像。该显示装置，具备有：栅极线与栅极线交叉配置的漏极线以及像素部２，该像素部２包含有：栅极与栅极线连接的同时，源极／漏极的一方与漏极线连接，且在保持像素电位（Ｐｉｘ）的动作期间内施加第１偏压的ｐ沟道型晶体管２ａ；以及与ｐ沟道型晶体管２ａ的源极／漏极的另一方连接的像素电极，于像素部２的ｐ沟道型晶体管２ａ中，在投入液晶显示装置的电源时，是施加绝对值大于第１偏压的第２偏压。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于显示装置以及半导体装置，特别是关于包含p型场效型晶体管的显示装置以及半导体装置。
技术介绍
先前技术中，具备有包含晶体管的像素部的液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence电场发光)显示装置等显示装置已为众所知(例如参照专利文献1)。第9图是显示以往的液晶显示装置的一像素部的电路图。参照第2图，构成习知的液晶显示装置的像素部102，是包含有晶体管102a；像素电极102b；与像素电极102b呈相对配置且共通于各像素部102的相对电极102c；挟持于像素电极102b与相对电极102c之间的液晶102d；以及补助电容102e。此外，晶体管102a的源极/漏极的一方是连接漏极线。另外，晶体管102a的源极/漏极的另一方除了与补助电容102e的一方电极连接之外，亦与夹住液晶102d的一方的电极的像素电极102b连接。该晶体管102a的栅极是与栅极线连接。此外，先前技术中，在上述的液晶显示装置等的显示装置中，一般是使用n型的MOS晶体管(场效型晶体管)做为构成像素部的晶体管。第9图所示的先前技术的液晶显示装置的动作，是在晶体管102a形成激活状态时，并对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于：所述显示装置具备有：栅极线；配置成与前述栅极线呈交叉状的影像信号线；以及像素部，该像素部包含有：栅极与前述栅极线连接，而源极／漏极的一方与前述影像信号线连接，且在保持像素电位的动作期间施加有第１偏压的ｐ型第 １场效型晶体管；以及与前述ｐ型第１场效型晶体管的源极／漏极的另一方连接的像素电极，其中，在保持前述像素电位的动作期间以外的规定期间内，对前述像素部的ｐ型第１场效型晶体管施加绝对值大于前述第１偏压的第２偏压。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-30 2003-1864131.一种显示装置，其特征在于所述显示装置具备有栅极线；配置成与前述栅极线呈交叉状的影像信号线；以及像素部，该像素部包含有栅极与前述栅极线连接，而源极/漏极的一方与前述影像信号线连接，且在保持像素电位的动作期间施加有第1偏压的p型第1场效型晶体管；以及与前述p型第1场效型晶体管的源极/漏极的另一方连接的像素电极，其中，在保持前述像素电位的动作期间以外的规定期间内，对前述像素部的p型第1场效型晶体管施加绝对值大于前述第1偏压的第2偏压。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于前述第1偏压包含第1栅极-源极间电压；以及第1漏极-源极间电压，而前述第2偏压包含高于前述第1栅极-源极间电压的第2栅极-源极间电压；以及低于前述第1漏极-源极间电压的第2漏极-源极间电压。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于在施加前述第2偏压时，将前述栅极线以及前述影像信号线的电位分别设定在规定的电位，使前述栅极线与前述影像信号线的电位差得以形成前述第2栅极-源极间电压，同时控制前述像素电极的电位，使前述影像信号线与前述像素电极的电位差形成前述第2漏极-源极间电压。4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于在施加前述第2偏压时，将前述栅极线以及前述像素电极的电位分别设定在规定的电位，使前述栅极线与前述像素电极的电位差得以形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：千田满，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]