【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及绝缘金属氧化物强电介质膜的形成方法以及具有强电介质膜的半导体装置。
技术介绍
近年来随着数字技术的发展，对大容量数据进行高速处理或保存逐渐成为了一种趋势，在其过程中，对用于电子机器的半导体装置提出了高集成化、高性能化的要求。因此为了实现半导体装置的高集成化、低耗电化，目前研究和开发较多的是，代替过去的由硅氧化物或硅氮化物形成的容量绝缘膜，而将由高介电常数膜形成的容量绝缘膜用于容量元件的技术。而且，为了实现至今尚未有过的在低工作电压下能够以高速度写入或读出的非挥发性RAM的实用化，对作为容量绝缘膜的具有自极化特性的强电介质膜的研究开发非常活跃。把高介电常数膜或强电介质膜用于容量绝缘膜的半导体记忆装置中，代替以往的叠加型储存单元，立体型储存单元已被用于超高集成的半导体记忆装置中。形成立体型储存单元时，需要在有段差(faulting)的下部电极上形成由强电介质膜形成的容量绝缘膜，因此迫切要求对段差覆盖性优良的使用CVD法的容量绝缘膜的形成方法实现实用化。特别是作为使用有机金属气相成长法(以下称为MOCVD法)的由强电介质膜所形成的容量绝缘膜的形成方法有...
【技术保护点】
一种强电介质膜的形成方法，是在形成于基板上的、具有凹部或凸部或者形成为凸状的电极表面上，形成由绝缘性金属氧化物构成的强电介质膜的方法，其特征在于：向腔室内导入构成原料气体的、分别含有有机金属化合物的多种源气体，同时使所述多种源气体的主成分之间进行反应控速下的化学反应，使所述强电介质膜沉积在所述电极表面上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：立成利贵，林慎一郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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