【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及安装有电容器的半导体器件，特别是涉及模拟/数字混合安装型半导体器件及其制造方法。
技术介绍
近些年来，随着产品的小型化和高速化，已经可以使用把若干个LSI(大规模集成电路)合并到一个LSI中的系统LSI了。此外，现在，通信技术的进步是惊人的。人们正在积极地开发把在该通信中使用的模拟电路和数字电路合并到一个LSI中的模拟/数字混合安装型LSI。为了构成模拟电路，就要求具有高精度且稳定性不依赖于电压的电容器。作为该电容器，可以使用PIP(多晶硅-绝缘体-多晶硅)型电容器。该PIP型电容器的构成为把ONO膜夹持在掺杂的多晶硅与多晶硅的电极之间。但是，PIP型电容器由于电压系数和温度系数高，故存在着对电压和温度的依赖性。此外，由于多晶硅的电阻大，故具有LSI不能进行稳定动作的问题。于是，为了改善这样的问题，MIM(金属-绝缘体-金属)型电容器受到了人们的注意。该MIM型电容器，把电压系数和电阻比多晶硅低的金属用做电极。此外，该MIM型电容器，由于可以在多层布线层内形成，故还可以抑制寄生电容。图7A～图7I示出了MIM型电容器的构造和制造工序。如图7A所示...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第１层间绝缘膜； 在上述第１层间绝缘膜内形成的第１布线层，上述第１布线层在上述第１层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第１层间绝缘膜上边形成的第２层间绝 缘膜；在上述第２层间绝缘膜上形成的第１栓塞，上述第１栓塞到达上述第１布线层的上表面上；在上述第１栓塞的侧面和底面上形成的ＭＩＭ型电容器，所述ＭＩＭ型电容器包括：连接到上述第１布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电 介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第...
【技术特征摘要】
JP 2001-4-23 123873/20011.一种半导体器件，包括半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜；在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层，上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第1层间绝缘膜上边形成的第2层间绝缘膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的第1栓塞，上述第1栓塞到达上述第1布线层的上表面上；在上述第1检塞的侧面和底面上形成的MIM型电容器，所述MIM型电容器包括连接到上述第1布线层上的下部电极膜、在上述下部电极膜上边形成的电介质膜和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜；在上述第2层间绝缘膜上形成的上部电极用布线层，上述上部电极用布线层连接到上述第1栓塞上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在上述第1层间绝缘膜上形成的第2布线层；在上述第2层间绝缘膜上形成的第2栓塞，上述第2栓塞到达上述第2布线层的上表面上；在上述第2层间绝缘膜上形成的第3布线层，上述第3布线层连接到上述第2栓塞上。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中上述第1栓塞的深度与上述第2栓塞的深度大体上相等。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，上述下部电极膜和上述上部电极膜由从TaN、TiN、WN、W-Si-N、Ti-Si-N、Ta-Si-N构成的组中选出的至少一种材料构成。5.根据权利要求2所述的器件，其中，上述第2栓塞在侧面上具有势垒金属膜。6.根据权利要求5所述的器件，其中，上述势垒金属膜用与上述上部电...
【专利技术属性】
技术研发人员：梶田明广，山田雅基，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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