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一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上边形成的第１层间绝缘膜；在上述第１层间绝缘膜内形成的第１布线层，上述第１布线层在上述第１层间绝缘膜的表面上露出来；在上述第１层间绝缘膜上边形成的第２层间绝缘膜；在...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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