半导体显示器件、半导体器件和电子设备制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种利用更有效地防止电介质击穿的保护电路的半导体显示器件。在本发明专利技术中，在形成覆盖用作保护电路的ＴＦＴ的第一层间绝缘膜和形成覆盖在该第一层间绝缘膜之上形成的布线的作为绝缘覆盖膜的第二层间绝缘膜的情况下，用于将ＴＦＴ连接到其它半导体元件的布线形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触，以确保释放在该第二层间绝缘膜的表面中累积的电荷的路径。注意：用作保护二极管的ＴＦＴ称为二极管式连接的ＴＦＴ，其中第一端子或第二端子之一连接到栅电极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用保护电路的半导体显示器件，该保护电路可以防止发光元件出现电介质击穿。2、
技术介绍
在半导体器件的制造步骤中，如何抑制发光元件的退化或导致电介质击穿的起电现象(起电)是一个重要课题。特别地，对于高集成度，不仅存在沟道长度的小型化的倾向而且还存在减少各种绝缘膜典型为栅绝缘膜的膜厚度的倾向。因此，因起电引起的电介质击穿就变成了更加严重的问题。出现起电的原因和环境非常复杂且易于变化。因此，不仅需要检测产生电荷的原因和环境，而且必须在半导体器件的结构中采取措施，以便增加因起电引起退化或电介质击穿的电阻。为了防止因电荷引起的退化或电介质击穿，有效的方法是通过采用二极管(保护二极管)的保护电路来确保放电路径。通过确保放电路径，防止在绝缘膜中累积的电荷在半导体元件附近被释放。因此，就可以防止因放电能量产生的现象(ESD静电放电)，其中退化并损坏半导体元件。此外，通过提供保护电路，即使随信号和电源电压一起将噪声输入到布线，后一级电路也能够防止因噪声引起的故障，并且就可以防止半导体器件因噪声引起的退化或损坏。在半导体显示器件典型为液晶显示器件和发光器件中，其中在输入视频信号之后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体显示器件，包括：至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；形成的第一层间绝缘膜，以便覆盖该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管；形成的第一、第二和第三布线，以便与该第一层间绝缘膜的表面接触；在该第一层间绝缘膜 之上形成的第二层间绝缘膜，覆盖该第一、第二和第三布线；形成的第四和第五布线，以便与该第二层间绝缘膜的表面接触；以及显示元件，形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触并连接到该第五布线，其中该第一布线通过在该第一层间绝缘膜中 形成的第一和第二接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第一端子和...

【技术特征摘要】
JP 2003-10-28 367639/031.一种半导体显示器件，包括至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；形成的第一层间绝缘膜，以便覆盖该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管；形成的第一、第二和第三布线，以便与该第一层间绝缘膜的表面接触；在该第一层间绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜，覆盖该第一、第二和第三布线；形成的第四和第五布线，以便与该第二层间绝缘膜的表面接触；以及显示元件，形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触并连接到该第五布线，其中该第一布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第一和第二接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第一端子和栅电极；其中该第二布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第三接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第二端子；其中该第三布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第四接触孔连接到包含在该第二薄膜晶体管中的第一端子或第二端子；其中该第四布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第五或第六接触孔连接到该第一布线或该第二布线，以及其中该第五布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第七接触孔连接到该第三布线。2.一种半导体显示器件，包括至少第一、第二和第三薄膜晶体管；形成的第一层间绝缘膜，以便覆盖该第一、第二和第三薄膜晶体管；形成的第一、第二、第三、第四和第五布线，以便与该第一层间绝缘膜的表面接触；在该第一层间绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜，覆盖该第一、第二、第三、第四和第五布线；形成的第六和第七布线，以便与该第二层间绝缘膜的表面接触；以及显示元件，形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触并连接到该第七布线，其中该第一布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第一和第二接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第一端子和栅电极；其中该第二布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第三接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第二端子；其中该第三布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第四和第五接触孔连接到包含在该第二薄膜晶体管中的第一端子和栅电极；其中该第四布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第六接触孔连接到包含在该第二薄膜晶体管中的第二端子；其中该第五布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第七接触孔连接到包含在该第三薄膜晶体管中的第一端子或第二端子；其中该第六布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第八和第九接触孔连接到该第二布线和第三布线，以及其中该第七布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第十接触孔连接到该第五布线。3.一种半导体显示器件，包括至少第一、第二和第三薄膜晶体管；形成的第一层间绝缘膜，以便覆盖该第一、第二和第三薄膜晶体管；形成的第一、第二、第三和第四布线，以便与该第一层间绝缘膜的表面接触；在该第一层间绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜，覆盖该第一、第二、第三和第四布线；形成的第五和第六布线，以便与该第二层间绝缘膜的表面接触；以及显示元件，形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触并连接到该第六布线，其中该第一布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第一和第二接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第一端子和栅电极；其中该第二布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第三、第四和第五接触孔连接到包含在该第一薄膜晶体管中的第二端子和包含在该第二薄膜晶体管中的第一端子和栅电极；其中该第三布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第六接触孔连接到包含在该第二薄膜晶体管中的第二端子；其中该第四布线通过在该第一层间绝缘膜中形成的第七接触孔连接到包含在该第三薄膜晶体管中的第一端子或第二端子；其中该第五布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第八和第九接触孔连接到第二布线；其中该第六布线通过在该第二层间绝缘膜中形成的第十接触孔连接到该第四布线。4.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该显示元件是发光元件，该发光元件包括第一电极；在该第一电极之上形成的电致发光层；以及在该电致发光层之上形成的第二电极，其中该第二电极具有透光特性。5.根据权利要求2的半导体显示器件，其中该显示元件是发光元件，该发光元件包括第一电极；在该第一电极之上形成的电致发光层；以及在该电致发光层之上形成的第二电极，其中该第二电极具有透光特性。6.根据权利要求3的半导体显示器件，其中该显示元件是发光元件，该发光元件包括第一电极；在该第一电极之上形成的电致发光层；以及在该电致发光层之上形成的第二电极，其中该第二电极具有透光特性。7.根据权利要求1的半导体显示器件，其中通过涂覆方法来形成该第二层间绝缘膜。8.根据权利要求2的半导体显示器件，其中通过涂覆方法来形成该第二层间绝缘膜。9.根据权利要求3的半导体显示器件，其中通过涂覆方法来形成该第二层间绝缘膜。10.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜由多层绝缘膜形成并且通过涂覆方法来形成该多层绝缘膜的任何一层。11.根据权利要求2的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜由多层绝缘膜形成并且通过涂覆方法来形成该多层绝缘膜的任何一层。12.根据权利要求3的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜由多层绝缘膜形成并且通过涂覆方法来形成该多层绝缘膜的任何一层。13.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有一有机树脂膜或一无机绝缘膜。14.根据权利要求2的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有一有机树脂膜或一无机绝缘膜。15.根据权利要求3的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有一有机树脂膜或一无机绝缘膜。16.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有通过采用硅氧烷族的材料形成的绝缘膜。17.根据权利要求2的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有通过采用硅氧烷族的材料形成的绝缘膜。18.根据权利要求3的半导体显示器件，其中该第二层间绝缘膜具有通过采用硅氧烷族的材料形成的绝缘膜。19.一种半导体器件，包括在衬底之上的至少一薄膜晶体管；在该薄膜晶体管之上形成的第一层间绝缘膜；在该第一层间绝缘膜之上形成的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]