半导体发光器件及制造方法、集成半导体发光设备及制造方法、图像显示设备及制造方法、技术

在蓝宝石衬底上形成ｎ型ＧａＮ层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过ＲＩＥ方法，利用刻蚀掩膜将ｎ型ＧａＮ层刻蚀一定深度，形成上表面是Ｃ面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和ｐ型ＧａＮ层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的ｐ型ＧａＮ层上形成ｐ侧电极和在ｎ型ＧａＮ层上形成ｎ侧电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件及它的制造方法、集成半导体发光设备及它的制造方法、图像显示设备及它的制造方法、照明设备及它的制造方法。更具体地说，本专利技术适用在应用于利用氮化物III-V群的复合半导体的发光二极管的时候。
技术介绍
到目前为止，在蓝宝石衬底上长出n型GaN层、在n型GaN层上形成存在预定开口部分的生长掩膜、在生长掩膜的开口部分中的n型GaN层上有选择地长出存在与衬底的主面倾斜的倾斜晶面的六角锥体n型GaN层、和在倾斜晶面上长出活性层和p型GaN层等的发光二极管已经由本专利技术的申请人推荐为半导体发光器件(例如，参照国际公布第02/07231号(第47-50页，图3-9)的小册子)。根据这样的发光二极管，可以抑制通过位错(dislocation)从衬底侧到形成器件结构的层的扩散，并可以改善那些层的晶体性能，从而可以获得高的发光效率。像如下那样的技术是已知的，即，在主面是(0001)面的蓝宝石衬底的主面上形成非晶结构的第一氮化物半导体薄膜，通过固相外延生长使该膜单晶化，使第二氮化物半导体薄膜气相外延生长在单晶膜上，在长成的第二氮化物半导体薄膜上进一步形成由二氧化硅薄膜组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：第一导电型的半导体层，其中，一个主面含有棱柱或锥体晶体部分，所述棱柱或锥体晶体部分含有几乎与所述主面平行的上表面和几乎与所述主面垂直或与所述主面倾斜的侧面；依次层叠在至少所述晶体部分的所述上表面上的 至少一活性层和一第二导电型的半导体层；与所述第一导电型的半导体层电连接的第一电极；和在所述晶体部分的所述上表面上的所述第二导电型的半导体层上形成并与所述第二导电型的半导体层电连接的第二电极。

【技术特征摘要】
JP 2002-9-6 261408/20021.一种半导体发光器件，包括第一导电型的半导体层，其中，一个主面含有棱柱或锥体晶体部分，所述棱柱或锥体晶体部分含有几乎与所述主面平行的上表面和几乎与所述主面垂直或与所述主面倾斜的侧面；依次层叠在至少所述晶体部分的所述上表面上的至少一活性层和一第二导电型的半导体层；与所述第一导电型的半导体层电连接的第一电极；和在所述晶体部分的所述上表面上的所述第二导电型的半导体层上形成并与所述第二导电型的半导体层电连接的第二电极。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述部分具有纤锌矿型的晶体结构。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述晶体部分由氮化物III-V群复合半导体构成。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电型的半导体层、所述活性层、和所述第二导电型的半导体层的每一个由氮化物III-V群复合半导体构成。5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述上表面是C面。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述晶体部分具有棱柱形状。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述晶体部分具有六棱柱形状。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述晶体部分具有正向锥形或反向锥形的圆锥平截头体形状。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述晶体部分具有六角锥平截头体形状。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，在所述晶体部分的所述上表面上除了所述第二导电型的半导体层的外围拐角部分之外的部分中形成所述第二电极。11.一种半导体发光器件的制造方法，包括如下步骤在衬底上长出第一导电型的半导体层；在所述第一导电型的半导体层上形成预定形状的刻蚀掩模；通过利用所述刻蚀掩模使所述第一导电型的半导体层刻蚀到预定深度，形成棱柱或锥体晶体部分；和在至少所述晶体部分上依次长出至少一活性层和一第二导电型的半导体层。12.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述刻蚀掩膜由金属膜构成。13.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述刻蚀掩膜由Ti/Ni层叠膜构成。14.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述刻蚀掩膜由抗蚀剂构成。15.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述第一导电型的半导体层、所述活性层、和所述第二导电型的半导体层的每一个由氮化物III-V群复合半导体构成。16.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述晶体部分具有几乎与所述衬底的主面平行的上表面。17.根据权利要求16所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述上表面是C面。18.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述晶体部分具有棱柱形状。19.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述晶体部分具有六棱柱形状。20.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述晶体部分具有正向锥形或反向锥形的圆锥平截头体形状。21.根据权利要求11所述的半导体发光器件的制造方法，其中，所述晶体部分具有六角锥平截头体形状。22.根据权利要求16所述的半导体发光器件的制造方法，进一步包括在所述晶体部分的所述上表面上的所述第二导电型的半导体层的上表面上形成第二导电型侧的电极的步骤。23.根据权利要求16所述的半导体发光器件的制造方法，进一步包括在所述晶体部分的所述上表面上除了所述第二导电型的半导体层的一上表面的外围拐角部分之外的部分中形成第二导电型侧的电极的步骤。24.根据权利要求11所述的半导体发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：大畑丰治，奥山浩之，土居正人，琵琶刚志，铃木淳，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]