温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在蓝宝石衬底上形成ｎ型ＧａＮ层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过ＲＩＥ方法，利用刻蚀掩膜将ｎ型ＧａＮ层刻蚀一定深度，形成上表面是Ｃ面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和ｐ型ＧａＮ层，以便覆盖六棱柱部分...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。