布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板（１０３）的反应室（１０１）内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层（１０５）的步骤１；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤２；对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤３；使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤４；在所述选择区域中形成金属膜（１１０）的步骤５。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及如半导体集成电路装置(以下称IC)之类的半导体装置，如液晶显示装置(以下称LCD)的逻辑电路、扫描电路、像素用切换电路之类的显示装置等当中的选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置、基板装置、配线金属层的形成方法；尤其涉及在包含半导体基板、玻璃基板、塑料基板等基板，与其上所层积一层以上(或薄膜)的基板上的选择区域中，形成布线金属层的方法、布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置。
技术介绍
在IC[特别是如LSI(大规模集成电路，Large Scale Integrated Circuit)或ULSI(超大规模集成电路，Ultra Large Scale Integrated Circuit)]之类的大规模集成电路装置的制造中，为实现较高的元件密度或较高运行速度的目的下，必须使电路内的信号传输达到高速化，且要求具有较低电阻率的布线材料。此外，在LCD制造中，布线长度随着屏幕的大型化而增加、平均单位面积的像素数增加伴随着半导体元件的微小化、于主基板配置多个外围电路、附加内存功能的单片化等，便要求具有较低电阻率的布线材料。已知用作布线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线金属层的形成方法，用来在基板上的选择区域中形成布线金属层；包括有：在配置有积层板的反应室内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层的步骤１；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤２；对所述积层板上的选择区域照射光的步骤３；使在该积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤４；在所述选择区域中形成金属膜的步骤５。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-19 075623/20021.一种布线金属层的形成方法，用来在基板上的选择区域中形成布线金属层；包括有在配置有积层板的反应室内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层的步骤1；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子的气体浓度减少或排气的步骤2；对该积层板上的选择区域照射光的步骤3；使在该积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4；在所述选择区域中形成金属膜的步骤5。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述光照射而对所述选择区域的吸附分子层赋予光子能，从而使所述有机金属分子分解，而形成属于该有机金属分子成分的金属核。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含有在所述步骤1之前，在所述积层板表面上，形成由经过光吸收而产生热的光吸收材料所构成的光吸收膜的形成步骤；通过随所述光的照射而所产生的所述光吸收膜的放热对所述吸附分子层赋予热能，以此所述有机金属分子便分解并形成所述金属核。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，重复实施一次以上的所述步骤1起至所述步骤3、或所述步骤1起至所述步骤4。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2包括有将所述有机金属分子气体稀释、或将所述有机金属分子气体排放到所述反应室外之中的任一种。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机金属分子包含有如铜、铝、钛、钨、钽、以及钼中之任何一种金属。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜由与所述金属核同种类的金属或其化合物所构成，并利用电镀法而形成所述金属膜。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜由与所述金属核同种类的金属或其化合物所构成，并利用化学气相沉积法而形成所述金属膜。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜由与所述金属核不同种类的金属或其化合物所构成，并利用所述电镀法而形成所述金属膜。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：青森繁，
申请(专利权)人：株式会社液晶先端技术开发中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]