场效应晶体管类型发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明专利技术是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极（即源极）、空穴注入电极（即漏极）、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极（即栅极），所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用半导体的发光器件，尤其涉及一种场效应晶体管类型的发光器件。
技术介绍
通常，使用半导体的发光器件已经广泛用于显示和照明，并且用作光源。作为这种发光器件之一的是发光二极管，其中通过向pn结半导体施加正向电压，将电子注入到n区，并且将空穴注入到p区，以便通过在接合点(有源区)对电子和空穴进行复合以获得光发射。通过将p型半导体和n型半导体结合在一起制成发光二极管的pn结，该p型半导体和n型半导体分别通过向半导体中加入形成p型或者n型的添加剂来制造。例如，在应用物理学的日文杂志(Japanese Journal of Applied Physics)的第2部分、第40卷的第L275-L278页中描述了这种pn结发光二极管，其中发光二极管使用金刚石单晶体作为发射活性材料。然而，在pn结发光二极管中，存在以下不可避免的问题当没有向半导体材料中添加大量添加剂而不能获得足够的光发射时，由于添加剂的加入而使得半导体材料的晶体结构中发生变形、缺陷等，使该材料成为猝熄中心或者感生不必要波长的光发射，由此降低了为光发射贡献已注入载流子的效率。另一方面，与上述pn结发光器件相比，作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管类型发光器件，包括：电子注入电极，即源极；空穴注入电极，即漏极；设置在所述源极和所述漏极之间以便与所述两个电极接触的发射有源部件；以及场应用电极，即栅极，通过绝缘部件或者绝缘间隙设置在所述发射 有源部件附近，用于在所述发射有源部件中感生电子和空穴，所述场效应晶体管类型发光器件的特征在于：所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-19 42154/20021.一种场效应晶体管类型发光器件，包括电子注入电极，即源极；空穴注入电极，即漏极；设置在所述源极和所述漏极之间以便与所述两个电极接触的发射有源部件；以及场应用电极，即栅极，通过绝缘部件或者绝缘间隙设置在所述发射有源部件附近，用于在所述发射有源部件中感生电子和空穴，所述场效应晶体管类型发光器件的特征在于所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。2.根据权利要求1的场效应晶体管类型发光器件，其特征在于在所述无机半导体材料中，电子移动率和空穴移动率之间的比率在1/100到100的范围。3.根据权利要求1的场效应晶体管类型发光器件，其特征在于在所述无机半导体材料中，处于室温的空穴移动率和电子移动率各为10-1cm2/Vs或更大。4.根据权利要求1的场效应晶体管类型发光器件，其特征在于在所述无机半导体材料中，载流子浓度是1014/cm3或者更小，或者产生载流子的掺杂剂浓度是0.1％或者更小。5.根据权利要求1的场效应晶体管类型发光器件，其特征在于所述无机半导体材料具有108Ωcm或更大的电阻率值。6.根据权利要求1的场效应晶体管类型发光器件，其特征在于所述无机半导体材料是无掺杂的本征半导体。7.根据权利要求1到6任一项的场效应晶体管类型发光器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：川副博司，小林哲，谷由纪，柳田裕昭，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]