【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管(Light Emitting Diode;LED),特别是指一种具有光子晶体(Photonic Crystal)的发光二极管及其装置。
技术介绍
在通讯及资讯科技业的蓬勃发展下,针对通讯及资讯领域的相关产品随着因应而生,并于近年来趋向普及化。因此,大型及小型显示器如液晶显示萤幕及个人行动产品等等,也因应科技的进步而形成一广大的消费市场。近年来由于半导体磊晶技术不断地精进,使得半导体固态光源(solid statelight source)发光二极管的发光亮度逐渐地提高。因此,现已被广泛应用于显示器背光模组及通讯等消费市场,未来,更被视为可取代一般照明市场的生力军。然而,虽然现今的发光二极管可达到高内部量子效率(quantumefficiency),但由于半导体材质通常具高介电系数,所以在发光层(active layer)所产生的光,受到全内反射(total internal reflection)的限制无法耦合(couple)到外部环境,使得发光二极管的光源外出效率(extraction efficiency)通常在30%以下。过去针对低光源外出效率的解决方法中,大部分着重于几何结构的设计上,以降低全反射的效应。例如在发光二极管的出光部利用呈半球状的透明树脂层加以封装,使发光二极管产生的光源可透过呈半球状的几何设计的树脂层以提高光源外出效率,但是,仍无法完全解决由于全反射所造成的光源外出效率的损失。另外的解决方法,如在发光元件的表面形成一抗反射面(anti-reflection surface)以增加正向光的透出,但仍无法 ...
【技术保护点】
一种具有光子晶体的发光二极管,其特征在于包含:一基板;一呈层状的发光晶体,具有一连接于该基板的出光部及一远离该出光部的背光部,该发光晶体自该背光部向相反于该出光部的方向凸出有若干相间隔设置的凸柱,每一凸柱具有一靠近该出光部的 第一基壁、一相对该第一基壁远离该出光部的第二基壁,及一连接该第一及第二基壁的围壁,且每一相邻凸柱的第一基壁是相互连接,借这些凸柱界定出若干通道,以使该发光晶体借这些凸柱界定出一面晶格;及一形成在这些第一基壁及围壁上的第一金属反射层, 借该第一金属反射层界定出若干反射金属格;其中,该发光晶体借该面晶格及这些反射金属格界定出一具一二维周期性结构的光子晶体。
【技术特征摘要】
1.一种具有光子晶体的发光二极管,其特征在于包含一基板;一呈层状的发光晶体,具有一连接于该基板的出光部及一远离该出光部的背光部,该发光晶体自该背光部向相反于该出光部的方向凸出有若干相间隔设置的凸柱,每一凸柱具有一靠近该出光部的第一基壁、一相对该第一基壁远离该出光部的第二基壁,及一连接该第一及第二基壁的围壁,且每一相邻凸柱的第一基壁是相互连接,借这些凸柱界定出若干通道,以使该发光晶体借这些凸柱界定出一面晶格;及一形成在这些第一基壁及围壁上的第一金属反射层,借该第一金属反射层界定出若干反射金属格;其中,该发光晶体借该面晶格及这些反射金属格界定出一具一二维周期性结构的光子晶体。2.如权利要求1所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于更包含若干分别形成于这些第二基壁上的第二金属反射层,借该第一金属反射层及这些第二金属反射层共同界定出一连续金属反射层,并使该发光晶体借该面晶格、这些反射金属格及这些第二金属反射层界定出一具一三维结构的光子晶体。3.如权利要求2所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该发光晶体由该基板向远离该基板的方向更具有一连接于该基板的第一型半导体层、一局部覆盖该第一型半导体层的发光层、及一覆盖该发光层的第二型半导体层。4.如权利要求3所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该第一型半导体层是一N型掺杂半导体层,该第二型半导体层是一P型掺杂半导体层。5.如权利要求4所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该发光晶体是一III-V族半导体材料。6.如权利要求5所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该III-V族半导体材料,是掺杂有至少一IIIB族元素的氮化物。7.如权利要求6所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于每一凸柱是具有部分该第二型半导体层。8.如权利要求6所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于更包含若干分别介于这些第一基壁及该第一金属反射层之间的低介电材料体,每一凸柱是具有该第二型半导体层、该发光层及部分该第一型半导体层,每一低介电材料体是自这些第一基壁形成至部分该第二型半导体层。9.如权利要求6所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于更包含一氧化层,该氧化层是介于这些围壁、第一基壁及第一金属反射层之间,每一凸柱是具有该第二型半导体层、该发光层及部分该第一型半导体层。10.如权利要求1所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该面晶格的每一凸柱是一选自于下列群组中的原子正四边形原子、圆形原子及正六边形原子。11.如权利要求10所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该面晶格的每一凸柱是一正四边形原子。12.如权利要求1所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该面晶格是一选自于下列群组中的面晶格正四边形面晶格、正六边形面晶格及蜂巢状面晶格。13.如权利要求12所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该面晶格是一正四边形面晶格。14.如权利要求1所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该基板是使用一选自于下列群组中的磊晶基板蓝宝石、氧化锌及氮化镓。15.如权利要求14所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于该基板是使用蓝宝石磊晶基板。16.如权利要求2所述的具有光子晶体的发光二极管,其特征在于这些金属反射层是使用一选自于下列群组中的金属材料银、铝、镍、钛、铬及此等的一组合。17.一种具有光子晶体的发光二极管装置,其特征在于其包含一发光二极管,具有一基板、一呈层状的发光晶体及一第一金属反射层,该发光晶体具有一连接于该基板的出光部及一远离该出光部的背光部,该发光晶体自该背光部向相反于该出光部的方向凸出有若干相间隔设置的凸柱,每一凸柱具有一靠近该出光部的第一基壁、一相对该第一基壁远离该出光部的第二基壁,及一连接该第一及第二基壁的围壁,且每一...
【专利技术属性】
技术研发人员:林仲相,林佳锋,
申请(专利权)人:汉欣企业有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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