平板显示装置以及制造它的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一个平板显示装置，其包括基底和具有沉积在基底上的热电阻金属层图案，Ａｌ基金属层图案和封盖金属层图案的源极／漏极电极。使用这种设计，该平板显示装置具有低的线阻，热稳定性和同象素电极相比的改进的接触电阻。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种有源矩阵。
技术介绍
有源矩阵显示装置可以包括布置成矩阵形式的单位象素。对一个有源矩阵平板显示装置，每个单位象素可以包括至少一个薄膜晶体管(TFT)，由TFT控制的象素电极，和与象素电极面对的反相电极。有机发光装置是一种将有机发光层插入在象素电极和反相电极之间的装置。相反的，液晶显示装置是一种将液晶层插入在象素电极和反相电极之间的装置。图1是说明根据现有技术的平板显示装置的TFT的横截面图。如在图1中所示，可以在基底10上形成半导体层20。可以将覆盖半导体层20的栅极绝缘层30形成在半导体层20上。可以将栅极电极40形成在栅极绝缘层30上。可以形成覆盖栅极电极40的中间层50。将暴露出半导体层20两端的接触孔50a形成在中间层50上。可以形成位于中间层50上并通过接触孔50a接触半导体层20的两端的源极/漏极电极55。在形成源极/漏极电极55时，平板显示装置(未示出)的信号线可以一起形成。源极/漏极电极55和信号线可以由钼(Mo)形成，但是，Mo具有高电阻率。这意味着它可能增加信号线的线阻，引起信号线的信号延迟。信号延迟将引起平板显示装置的图像质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示装置，包括：包括至少一个热电阻金属层图案的源极／漏极电极；在热电阻金属层图案上的Ａｌ基金属层图案，和在Ａｌ基金属层图案上的封盖金属层图案，其沉积在基底上。

【技术特征摘要】
KR 2003-12-22 94815/031.一种平板显示装置，包括包括至少一个热电阻金属层图案的源极/漏极电极；在热电阻金属层图案上的Al基金属层图案，和在Al基金属层图案上的封盖金属层图案，其沉积在基底上。2.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案包括从一组Cr层，Cr合金层，Mo层和Mo合金层中选择的至少一个金属层。3.根据权利要求2所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案包括MoW合金层。4.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中Al基金属层图案包括从一组Al层，AlSi层，AlNd层和AlCu层中选择的至少一个金属层。5.根据权利要求4所述的平板显示装置，其中Al基金属层图案包括AlSi层。6.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中封盖金属层图案是Ti层或者Ta层之一。7.根据权利要求1所述的平板显示装置，还包括介入热电阻金属层图案和Al基金属层图案之间的扩散屏障图案。8.根据权利要求7所述的平板显示装置，其中扩散屏障图案包括Ti层或者Ta层。9.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案是至少大约1000的厚度。10.根据权利要求1所述的平板显示装置，还包括介入热电阻金属层图案和Al基金属层图案之间的扩散屏障图案，其中热电阻金属层图案是大约500或更小的厚度。11.根据权利要求1所述的平板显示装置，还包括位于基底上的半导体层；位于半导体层上的栅极电极；和位于栅极电极和半导体层上并具有暴露半导体层的端部部分的源极/漏极接触孔的中间层，其中热电阻金属层图案，Al基金属层图案和封盖金属层图案位于暴露的半导体层上。12.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中半导体层包括多晶硅层。13.一种制造平板显示装置的方法，包括在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅极电极；形成覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]