用于真空加工腔室的真空排气设备和加工真空压力的方法技术

本发明专利技术是用于对多个真空加工腔室控制压力、抽真空和提供去除作用的设备和方法。该系统可以用在半导体制造中。由多台涡轮泵将多个真空加工腔室排气入一公共的去除腔室，一台初级抽气泵将该公共的去除腔室保持在低于大气压力的压力。独立地控制诸加工腔室内的压力。该去除装置的内部容积提供了减少一个加工腔室内的压力变化对其它腔室内的压力的影响的缓冲。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及真空抽吸领域，更具体地涉及对于多个腔室提供和控制高真空的方法和设备。
技术介绍
某些研究和制造加工要求使用具有高真空的加工腔室。由于若干原因可以要求真空。在某些情况下，必须去除在加工中可能会引起化学反应或物理损坏的大气成份(例如在诸如钛的活性金属的真空熔炼中)。在某些情况中，使用真空扰乱存在于通常室内状态内存在的平衡状态，例如从大量材料(例如除气油、冷冻干燥)去除挥发液体或吸留的或溶解的气体，或者从表面脱附气体(例如在制造加工期间清洗微波管)。还在微粒与另一微粒碰撞之前该微粒必须运动的路程需要延长的加工过程中使用真空，从而允许微粒在源和目标之间进行一无碰撞过程(例如在真空涂覆、粒子加速器、电视显像管中)。最后，在通过减少每秒钟的分子碰撞次数而备制清洁表面中使用真空。这减少了污染的可能性(例如在清洁表面研究和备制纯洁的、薄的膜片中)。在半导体晶片加工中，在薄膜片喷镀和蚀刻操作期间使用真空，主要用于减少污染。本专利技术的真空系统，虽然在本文中主要与半导体晶片制造工作关联地进行叙述，但是也可以用于要求真空的任何上述使用的加工和研究活动中。真空泵设计的现实是没有一台真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从至少两个加工真空腔室（１１０，１１５）排气的真空排气设备，它包括：具有至少两个入口和一个出口的一低于大气压力的腔室（１３０）；多台高真空泵（１１１，１１６），各所述高真空泵在排气侧连接于低于大气压力的腔室的其中一个入口，各所述高真空泵在真空侧连接诸加工真空腔室之一，用于控制该腔室内的真空；以及连接于低于大气压力的腔室的出口的一初级抽气泵（１４０），用于维持该腔室内的真空。

【技术特征摘要】
US 2003-12-31 10/750,3091.一种用于从至少两个加工真空腔室(110，115)排气的真空排气设备，它包括具有至少两个入口和一个出口的一低于大气压力的腔室(130)；多台高真空泵(111，116)，各所述高真空泵在排气侧连接于低于大气压力的腔室的其中一个入口，各所述高真空泵在真空侧连接诸加工真空腔室之一，用于控制该腔室内的真空；以及连接于低于大气压力的腔室的出口的一初级抽气泵(140)，用于维持该腔室内的真空。2.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于还包括在低于大气压力的腔室内、用于改善排气的一低于大气压力的去除装置(131)。3.如权利要求2的真空排气设备，其特征在于从由洗涤器和等离装置组成的一组中选择低于大气压力的去除装置。4.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于低于大气压力的腔室靠近加工腔室。5.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于低于大气压力的腔室的内部容积减小了一加工腔室内的压力变化对另一加工腔室内的压力的影响。6.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于高真空泵是涡轮泵。7.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于高真空泵是能排气至1托以上的压力的涡轮泵。8.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于高真空泵是能排气至5托以上的压力的涡轮泵。9.如权利要求1的真空排气设备，其特征在于还包括连接于高真空泵的排...

【专利技术属性】
技术研发人员：CM巴利，MS伯格，
申请(专利权)人：爱德华兹真空股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]