半导体组件制造系统及其热力补偿次系统技术方案

一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体制造工具，特别是有关于一种针对半导体制造工具的快速温度补偿模块。
技术介绍
集成电路(IC)工业自1960年专利技术以来已快速成长，经过在材料、设计、制程、以及制造工具设备的不断进步，已从一般集成电路发展至大规模集成电路(LSIC)、超大规模集成电路(VLSI)，乃至于极大规模集成电路(VLSI)。随着制造技术的演进使得集成电路历经不同世代，且不断地朝体积越小以及电路复杂度越高的方向迈进，例如从微米到次微米阶段，而后更进入到深次微米的阶段，然而这样的演进同时也增加了在制造集成电路上的复杂度。许多半导体制造设备在进行如化学气相沉积(CVD)、溅镀、热氧化、扩散以及蚀刻等制程时，必须在一特定时间内妥善地控制其制程温度曲线。举例而言，当集成电路线宽小到深次微米尺度时，金属半导体场效应晶体管(MOSFET)中的氧化闸极(oxygenated gate)必须小于50，如此一来将严重影响制程温度曲线以及制程时间。由于传统的高温热氧化法难以确保超薄氧化层的品质，有鉴于此，一种快速热处理(RTP)程序因而被应用藉以精确地控制热能与温度。举例而言，在半导体设备中有关于温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件制造系统，其特征在于，包括：一制程腔室；一温度控制次系统，具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程腔室温度曲线；一热力补偿次系统，包括：一温度传感器，侦测该制程腔室温度曲线；一热力补偿控制 单元，计算该制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值；以及一补偿加热组件，根据该热力补偿控制单元所得的该差值，进而修正该制程温度曲线。

【技术特征摘要】
US 2004-1-5 10/753,2531.一种半导体组件制造系统，其特征在于，包括一制程腔室；一温度控制次系统，具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程腔室温度曲线；一热力补偿次系统，包括一温度传感器，侦测该制程腔室温度曲线；一热力补偿控制单元，计算该制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值；以及一补偿加热组件，根据该热力补偿控制单元所得的该差值，进而修正该制程温度曲线。2.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该热力补偿次系统具有多个补偿加热组件。3.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该补偿加热组件具有选自加热灯泡、红外线发射源或激光之一的组件。4.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该补偿加热组件具有一加热线。5.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该热力补偿次系统具有多个温度传感器。6.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该温度传感器具有选自红外线传感器、热敏电阻或热电偶之一的组件。7.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，该制程腔室温度曲线为一随时间变化的函数。8.根据权利要求1所述的半导体组件制造系统，其特征在于，藉由调整传递至该补偿加热组件的热能，可透过使得该补偿加热组件修正该制程温度曲线。9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴学昌，张知天，陆志诚，陈炳宏，周梅生，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]