半导体器件中的节点接触结构及其制造方法技术

静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）器件包括在具有源极／漏极区的半导体衬底上的体ＭＯＳ晶体管、在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层以及在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层上的具有源极／漏极区的薄膜晶体管。器件还包括在体ＭＯＳ晶体管与薄膜晶体管之间的多层栓塞。多层栓塞包括直接在体ＭＯＳ晶体管的源极／漏极区上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的半导体栓塞，和直接在薄膜晶体管的源极／漏极区和半导体栓塞上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的金属栓塞。还公开了相关方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体的，涉及半导体器件中的接触结构。
技术介绍
在半导体存储器件中，静态随机存取存储器(SRAM)器件与动态随机存取存储器(DRAM)器件相比具有更低的功耗和更快的工作速度的优点。因此，SRAM广泛的用作计算机和/或其它便携设备中的高速缓冲存储器。SRAM器件的单元可以分为电阻负载SRAM单元或互补金属氧化物半导体(CMOS)SRAM单元。电阻负载SRAM单元采用高阻值的电阻作为负载器件，而CMOS SRAM单元采用p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管作为负载器件。CMOS SRAM单元可以分为两种类型。一种类型的CMOS SRAM单元是薄膜晶体管(TFT)SRAM单元，采用在半导体衬底上叠置的TFT作为负载器件。另一种为体CMOS SRAM单元，采用在半导体衬底上形成的体晶体管作为负载器件。体CMOS SRAM单元与TFT SRAM单元和电阻负载SRAM单元相比表现出更高的单元稳定性。换句话说，体CMOS SRAM单元具有出色的低电压特性和低待机电流。这是由于构成体CMOS SRAM单元的晶体管通常由单晶体硅衬底形成。相反，TFT SRAM单元通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）器件，包括：　　　　在具有源极／漏极区的半导体衬底上的体ＭＯＳ晶体管；　　　　在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层；　　　　在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层上的具有源极／漏极区的薄膜晶体管；以及　　　　多层栓塞，包括延伸穿过绝缘层的至少一部分并直接在体ＭＯＳ晶体管的源极／漏极区上的半导体栓塞，以及延伸穿过绝缘层的至少一部分并直接在体ＭＯＳ晶体管的源极／漏极区和半导体栓塞上的金属栓塞。

【技术特征摘要】
KR 2004-1-12 10-2004-00020801.一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，包括在具有源极/漏极区的半导体衬底上的体MOS晶体管；在体MOS晶体管上的绝缘层；在体MOS晶体管上的绝缘层上的具有源极/漏极区的薄膜晶体管；以及多层栓塞，包括延伸穿过绝缘层的至少一部分并直接在体MOS晶体管的源极/漏极区上的半导体栓塞，以及延伸穿过绝缘层的至少一部分并直接在体MOS晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞上的金属栓塞。2.根据权利要求1的器件，其中半导体栓塞与体MOS晶体管的源极/漏极区为相同的导电类型，其中体MOS晶体管的源极/漏极区与薄膜晶体管的源极/漏极区为不同的导电类型。3.根据权利要求2的器件，其中半导体栓塞和体MOS晶体管的源极/漏极区为n型导电类型，其中薄膜晶体管的源极区为p型导电类型。4.根据权利要求1的器件，其中金属栓塞直接在体MOS晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞的至少一个侧壁上。5.根据权利要求4的器件，其中半导体栓塞包括本征半导体和/或不同于体MOS晶体管的源极/漏极区的导电类型。6.根据权利要求5的器件，其中半导体栓塞包括p型导电类型，并且其中体MOS晶体管包括n型导电类型。7.根据权利要求4的器件，其中半导体栓塞直接在薄膜晶体管的源极/漏极区上。8.根据权利要求1的器件，其中体MOS晶体管是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，薄膜MOS晶体管是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。9.根据权利要求1的器件，其中薄膜晶体管是第一薄膜晶体管，还包括在与第一薄膜晶体管相邻的绝缘层上的第二薄膜晶体管，其中金属栓塞直接在第二薄膜晶体管的栅极电极上。10.根据权利要求9的器件，其中体MOS晶体管为第一体MOS晶体管，其中金属栓塞为第一金属栓塞，还包括在与第一体MOS晶体管相邻的衬底上的第二体MOS晶体管；以及延伸穿过绝缘层的至少一部分并直接在第二薄膜晶体管的栅极电极和第二体MOS晶体管的栅极电极上的第二金属栓塞。11.根据权利要求10的器件，其中第二体MOS晶体管的栅极电极为n型多晶硅图形，其中第二薄膜晶体管的栅极电极为p型多晶硅图形。12.根据权利要求9的器件，其中体MOS晶体管为驱动晶体管，第一薄膜晶体管为负载晶体管，其中第二薄膜晶体管为SRAM器件的传送晶体管。13.根据权利要求12的器件，其中字线连接到第二薄膜晶体管的栅极电极。14.根据权利要求12的器件，其中位线连接到第二薄膜晶体管的源极/漏极区。15.根据权利要求1的器件，其中在体MOS晶体管上的绝缘层是第一绝缘层，还包括在薄膜晶体管上的第二绝缘层，其中金属栓塞可以延伸穿过第二绝缘层。16.根据权利要求1的器件，其中薄膜晶体管包括具有单晶体硅结构的本体部分。17.根据权利要求9的器件，其中通过固相外延工艺形成薄膜晶体管的本体部分，并且与半导体栓塞具有相同的晶体结构。18.根据权利要求1的器件，其中金属栓塞包括钨栓塞。19.根据权利要求1的器件，其中金属栓塞包括钨栓塞和围绕钨栓塞的阻挡金属层。20.一种形成半导体器件的方法，包括在具有源极/漏极区的半导体衬底上形成体MOS晶体管；在体MOS晶体管上形成绝缘层；直接在体MOS晶体管的源极/漏极区上形成并延伸穿过绝缘层的至少一部分的半导体栓塞；在体MOS晶体管上的绝缘层上形成具有源极/漏极区的薄膜晶体管；以及直接在半导体栓塞和薄膜晶体管的源极/漏极区上形成并延伸穿过绝缘层的至少一部分的金属栓塞。21.根据权利要求20的方法，其中形成的半导体栓塞与体MOS晶体管的源极/漏极区具有相同的导电类型，并且其中形成的体MOS晶体管的源极/漏极区和薄膜晶体管的源极/漏极区具有不同的导电类型。22.根据权利要求20的方法，其中形成金属栓塞还包括直接在体MOS晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞的至少一个侧壁上形成金属栓塞。23.根据权利要求22的方法，其中半导体栓塞由本征半导体和/或具有不同于体MOS晶体管的源极/漏极区的导电类型的层形成。24.根据权利要求22的方法，其中形成薄膜晶体管还包括直接在半导体栓塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：张在焄，郑舜文，郭根昊，黄炳晙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]