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静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）器件包括在具有源极／漏极区的半导体衬底上的体ＭＯＳ晶体管、在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层以及在体ＭＯＳ晶体管上的绝缘层上的具有源极／漏极区的薄膜晶体管。器件还包括在体ＭＯＳ晶体管与薄膜晶体管之间的多层栓塞。多层栓塞...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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