【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及一种用于，更具体地，涉及一种形成半导体器件的接触的方法，其中分两步(或多步)进行一自对准接触(SAC)蚀刻工序以形成具有稳定特性的接触孔，藉此改善半导体器件的特性和可靠性。
技术介绍
图1和图2为说明半导体器件中的接触孔的横截面图。参考图1，在一半导体衬底上形成一界定有源区的器件隔离膜(未示出)。其后，在其上形成厚度为4000的栅极氧化物膜、栅极导电层和硬掩模层的堆叠结构。接下来，采用一栅极掩模(未示出)经由一光刻和蚀刻工序蚀刻该堆叠结构以形成栅极。然后在包含侧壁上有一绝缘膜隔离层的栅极的半导体衬底的整个表面上形成一蚀刻阻挡层。其后，连续淀积一平面化层间绝缘膜和一防反射涂层。接着采用一接触掩模经由曝光及显影过程在防反射涂层上形成一光刻胶膜图案(未示出)。可以用平台插塞接触掩模(landing plug contact mask)作为接触掩模。其后，采用光刻胶膜图案作为蚀刻掩模依次蚀刻防反射涂层、层间绝缘膜及蚀刻阻挡层以形成接触孔。此时，因为损坏了栅极侧壁上的绝缘膜隔离层的肩部，就暴露出了栅极导电层，如图1所示。结果，可能会在随后的工序中引...
【技术保护点】
一种用于形成一半导体器件的接触的方法，其包括： 在一半导体衬底上依次淀积一栅极氧化物膜、一栅极导电层及一硬掩模层以形成一堆叠结构； 蚀刻所述栅极氧化物膜、所述栅极导电层及所述硬掩模的堆叠结构以形成一栅极； 在包括所述栅极的所述半导体衬底的表面形成一蚀刻阻挡层； 依次淀积一平面化的层间绝缘膜和一防反射涂层； 在所述防反射涂层上形成暴露一接触区域的光刻胶膜的图案； 采用所述光刻胶膜图案作为一蚀刻掩模蚀刻所述防反射涂层； 采用所述光刻胶膜图案作为一蚀刻掩模进行第一自对准接触蚀刻工序以蚀刻所述层间绝缘膜一预定厚度； 采用所述光刻胶膜图...
【技术特征摘要】
KR 2003-12-24 0096377/031.一种用于形成一半导体器件的接触的方法，其包括在一半导体衬底上依次淀积一栅极氧化物膜、一栅极导电层及一硬掩模层以形成一堆叠结构；蚀刻所述栅极氧化物膜、所述栅极导电层及所述硬掩模的堆叠结构以形成一栅极；在包括所述栅极的所述半导体衬底的表面形成一蚀刻阻挡层；依次淀积一平面化的层间绝缘膜和一防反射涂层；在所述防反射涂层上形成暴露一接触区域的光刻胶膜的图案；采用所述光刻胶膜图案作为一蚀刻掩模蚀刻所述防反射涂层；采用所述光刻胶膜图案作为一蚀刻掩模进行第一自对准接触蚀刻工序以蚀刻所述层间绝缘膜一预定厚度；采用所述光刻胶膜图案作为一蚀刻掩模进行第二自对准接触蚀刻工序以暴露所述蚀刻阻挡层；以及蚀刻所述蚀刻阻挡层以形成一接触孔。2.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极包含具有一侧壁上的一绝缘膜隔离层的字线和位线中之一。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二自对准接触蚀刻工序包含一至少约35％的过蚀刻过程。4.如权利要求1所述的方法，其中，在底电极功率处于约1200w到约1800w的范围内且顶电极功率处于约600w到约1500w的范围内时，在压力处于约10mTorr到约20mTorr的范围内的条件下，采用流量处于约450sccm到约550sccm范围内的Ar气体、流量处于约15sccm到约25sccm范围内的C5F8气体、以及流量处于约15sccm到约19sccm范围内的O2气体进行所述第一自对准接触蚀刻工序。5.如权利要求1所述的方法，其中，在底电极功率处于约1200w到约1800w的范围内且顶电极功率处于约600w到约1500w的范围内时，在压力处于约10mTorr到约20mTorr的范围内的条件下，采用流量处于约450sccm到约550sccm范围内的Ar气体、流量处于约15sccm到约19sccm范围内的C5F8气体、流量处于约15sccm到约19sccm范围内的O2气体、以及流量处于约2sccm到约10sccm范围内的CH2F2气体进行所述第二自对准接触蚀刻工序。6.如权利要求1所述的方法，其中，在底电极功率处于约1200w到约1800w的范围内且顶电极功率处于约800w到约1200w的范围内时，在压力处于约10mTorr到约20mTorr的条件下，采用流量处于约150sccm到约250sccm范围内的O2气体和流量处于约80sccm到约120sccm范围内的Ar气体蚀刻所述的蚀刻阻挡层。7.如权利要求1所述的方法，其中所述堆叠结构具有约4000的厚度。8.具有按照权利要求1所述的方法形成的所述接触的半导体器件。9.一种用于形成半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：金承范，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。