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本发明提供了一种用以形成半导体器件的接触的方法，包括：采用一第一自对准接触（ＳＡＣ）蚀刻工序将一层间绝缘膜蚀刻一预定厚度，采用一第二ＳＡＣ蚀刻工序暴露一蚀刻阻挡层，以及蚀刻该蚀刻阻挡层以形成该接触孔。优选地，该第一ＳＡＣ蚀刻工序和该第二ＳＡ...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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