半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器制造方法及图纸

鉴于形成微细孔的工艺条件，提供一种可以稳定地形成所述微细孔而且在大型玻璃基板上也能稳定得到高性能薄膜晶体管的半导体装置的制造方法。本发明专利技术的半导体装置的制造方法，包括：在基板（１１）上形成基底绝缘膜（１２１）的工序；在基底绝缘膜（１２１）上形成第一绝缘膜（１２２）的工序；在第一绝缘膜（１２２）上形成直径ｄ↓［１］的孔（１２３）的工序；和在包含孔（１２３）的第一绝缘膜（１２２）上形成第二绝缘膜（１２４）的工序，其中当第二绝缘膜（１２４）形成工序中基板面内的膜厚分布为±ｙ％的情况下，孔（１２３）的直径ｄ↓［１］满足ｄ↓［１］≤６５００／ｙ＋８５ｎｍ的关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造方法和通过该制造方法制造的半导体装置、电光学装置、集成电路及电子仪器。
技术介绍
在电光学装置，例如液晶显示装置和有机EL(电致发光)显示装置等之中，采用包含作为半导体元件的薄膜晶体管构成的薄膜电路进行像素的转换(switching)等。已有的薄膜晶体管，采用非晶形硅膜形成通道形成区域等活性区域。而且采用多晶硅膜形成活性区域的薄膜晶体管也已经实用化。采用多晶硅膜，与采用非晶形硅膜相比，能够提高迁移性等电学特性，使薄膜晶体管的性能得到改善。而且，为进一步提高薄膜晶体管的性能，研究了形成由大粒晶粒构成的半导体膜，使晶界不会进入薄膜晶体管的通道形成区域内的技术。例如，有人提出通过在基板上形成微细孔，以此微细孔作为晶体生长的起点进行半导体膜的结晶化，形成大粒硅晶粒的技术。此项技术例如被记载在特开平11-87243号公报(专利文献1)、文献“单晶薄膜晶体管”《IBM技术公开公报》(1993年8月，257～258页)(非专利文献1)、文献“玻璃上大晶粒局部控制用Si薄膜的先进的激元激光结晶技术”(R.Ishihara等)《SPIE2001公报》(4295卷，14本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，是至少一个表面采用半导体膜在绝缘性基板形成薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上形成基底绝缘膜的工序；在所述基底绝缘膜上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成直径ｄ↓［１］的孔的工序；和在包含所述凹部的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜的工序，其中当所述第二绝缘膜的形成工序中基板面内的膜厚分布为±ｙ％的情况下，所述孔的直径ｄ↓［１］满足ｄ↓［１］≤６５００／ｙ＋８５ｎｍ的关系。

【技术特征摘要】
JP 2004-4-1 2004-1090991.一种半导体装置的制造方法，是至少一个表面采用半导体膜在绝缘性基板形成薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括在所述基板上形成基底绝缘膜的工序；在所述基底绝缘膜上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成直径d1的孔的工序；和在包含所述凹部的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜的工序，其中当所述第二绝缘膜的形成工序中基板面内的膜厚分布为±y％的情况下，所述孔的直径d1满足d1≤6500/y+85nm的关系。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述孔的直径d1还满足d1≤897.5nm。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第二绝缘膜的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：广岛安，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]