药液的评估方法、鉴定方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体制造工序中使用的药液的评估方法、药液的鉴定方法以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
液体的质量保证是通过对液体中颗粒的尺寸及其数量进行控制来实现的。颗粒的尺寸及其数量，可以用液体中颗粒计数器来进行测量(计测)(参见日本特开平9-2739987号公报)。液体中颗粒计数器可以对尺寸位于一定范围内的颗粒的数量进行测量。然而，对液体中的微小颗粒进行测量是非常困难的。由此，对于液体中存在的所有尺寸的颗粒来说，想要测量其数量是很不容易的。表1是表示液体的质量保证的数表的一个例子。由于这是抗蚀剂制造者制成的，所以显示的是抗蚀剂溶液的质量保证。表1 在表1中表示出了对3种批号抗蚀剂的颗粒数量的测量值。通常，液体的质量保证，如表1所示，对多个颗粒尺寸范围(在表1中是大于等于0.2微米并小于0.3微米以及大于等于0.3微米的两个范围)，规定其允许的颗粒数量(允许个数)。在表1中给出的实例中，大于等于0.2微米并小于0.3微米的颗粒数量可以允许达到10个，大于等于0.3微米的颗粒数量允许到达2个。抗蚀剂制造者可以基于表1，选择可以进行出售的批编号。表1表明，批编号1和批编号2的溶液对于两个颗粒尺寸范围的任何一个，其测量得到的颗粒数量(测量个数)都在允许个数之内，而批编号3的溶液则超过了允许个数。因此，在溶液合格与否的判断结果中，批编号1和批编号2的溶液是良，批编号3的溶液是不良，所以可以出售批编号为1和批编号为2的抗蚀剂溶液。用户可以从抗蚀剂制造者那里购入如上判断结果为良的抗蚀剂溶液。然而，即使使用的是判断为良的抗蚀剂溶液，也很难保证总是能够大幅度降低抗蚀图形上的缺陷，比如说短路类的缺陷和开口类的缺陷等等。对于含有低电介质材料的溶液，含有强电介质材料的溶液等的其他药液也存在同样的问题。
技术实现思路
根据本专利技术一个方面提供的一种药液的评估方法，可以包括通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。根据本专利技术一个方面提供的一种药液的鉴定方法，可以包括通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响，判断上述液体的良好与否(合格与否)；以及通过对上述液体的良好与否的判断，对于判断上述液体为良(良好)的场合，鉴定上述液体作为药液使用。根据本专利技术一个方面提供的一种药液的鉴定方法，可以包括利用液体中颗粒计数器，求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；用指数函数或者幂函数来表示上述(微)粒子的大小和与其对应的粒子数量之间的关系；将上述指数函数的系数以及上述幂函数的幂中的至少一个和预定值进行比较；以及通过将上述指数函数的系数以及上述幂函数的幂中的至少一个和预定值进行的比较，在上述系数小于预定值的场合，鉴定上述液体为作为在规定的半导体制造工序中使用的药液。根据本专利技术一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括通过将根据本专利技术一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的抗蚀剂溶液涂敷在被处理基板上，以形成抗蚀膜；对上述抗蚀膜的一部分进行选择性的曝光；以及通过对上述一部分进行了选择性曝光的上述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图形。根据本专利技术一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括在被处理基板上形成包括开口区域的抗蚀图形；以及通过将根据本专利技术一个方面提供的该药液的鉴定方法鉴定的能够作为药液使用的开口区域缩小材料溶液涂敷在上述抗蚀图形上，使上述开口区域缩小材料溶液和上述抗蚀图形发生反应，缩小上述抗蚀图形的上述开口区域。根据本专利技术一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括通过将根据本专利技术一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的含有低电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成低电介质涂敷膜；在上述低电介质涂敷膜上，通过光刻处理，形成掩膜图形；以及通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述低电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成低电介质图形。根据本专利技术一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括通过将根据本专利技术一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的含有强电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成强电介质涂敷膜；在上述强电介质涂敷膜上，通过光刻处理形成掩膜图形；以及通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述强电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成强电介质图形。附图说明图1是表示抗蚀剂溶液中的颗粒尺寸和个数的测量结果以及预测结果的示意图；图2是表示晶片上的缺陷数量和指数函数的幂(幂数，ベき数)之间的关系的示意图；图3是表示晶片上的缺陷数量和幂函数的幂之间的关系的示意图；图4A～4D是表示作为第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图；图5A～5C是表示作为第2实施例的半导体装置的制造方法的截面图；图6是表示作为第2实施例的半导体装置的制造方法的变形例的截面图；图7A～7C是表示作为第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图；图8A～8C是表示作为第4实施例的半导体装置的制造方法的截面图。具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的实施例进行说明。(第1实施例)本专利技术的专利技术人用与表1所示的批编号1～3相同的抗蚀剂溶液制成抗蚀图形。抗蚀图形用如下的方法制成。在晶片上涂敷抗蚀剂溶液形成涂敷膜，接着对上述涂敷膜进行曝光处理，然后对进行了该曝光处理后的涂敷膜进行显影处理，通过该方法，制成抗蚀图形。在测量各个抗蚀膜上每1cm2大小处的缺陷数量(缺陷密度)的同时，求出可以允许的缺陷密度。该结果在表2中示出。而且，上述缺陷密度的测量，可以采用公知的光学测量方法进行。表2 在表2中，对于批编号1和批编号3的场合，测量得到的缺陷密度(测量缺陷密度)没有达到允许缺陷密度，但是批编号2的场合却超过了允许缺陷密度。因此，在晶片合格与否的判断结果中，批编号1和批编号3的场合是良，批编号2的场合是不良。另一方面，在表1中如上所述批编号1和批编号2的场合是良，批编号3的场合是不良。换句话说，对于抗蚀剂制造者一方判断为良的批编号2，用户一方的判断结果为不良，由此可以看出两者的判断结果不一致。如这个例子所示，在抗蚀剂制造者一方进行的溶液合格与否判断中判断为良的批编号、和用户一方进行的晶片合格与否判断中判断为良的批编号不相一致的场合，抗蚀剂制造者一方需要作出相当大的赔偿，另一方面，用户一方也会产生很大的损失。本专利技术的专利技术人发现，小于0.2微米的颗粒的影响，也就是说超过液体颗粒计数器等测量仪器(计测仪器)的测量极限(能够测量的最小微粒直径)的微小颗粒，是造成即使使用抗蚀剂制造者一方判断为良的抗蚀剂溶液，也不一定能够大幅度降低抗蚀图形上的缺陷的原因。下面，对以此为背景的实施例进行说明。本实施例的药液的鉴定方法包括采用液体中颗粒计数器，求出关于液体中的粒子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的 关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。

【技术特征摘要】
JP 2004-4-14 119363/20041.一种药液的评估方法，包括通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。2.如权利要求1所述的药液的评估方法，其特征在于，上述函数为P＝P0+Ae-Zα，其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子数量，P0以及A是系数，α是指数函数的幂。3.如权利要求2所述的药液的评估方法，其特征在于，根据上述α的大小来判断上述液体的良好与否。4.如权利要求1所述的药液的评估方法，其特征在于，上述药液是抗蚀剂溶液、含有低电介质材料的溶液或者含有强电介质材料的溶液。5.一种药液的鉴定方法，包括通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响，判断上述液体的良好与否；以及通过对上述液体的良好与否的判断，对于判断上述液体为良的场合，鉴定上述液体作为药液使用。6.如权利要求5所述的药液的鉴定方法，其特征在于上述函数为P＝P0+Ae-Zα，其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子数量，P0以及A是系数，α是指数函数的幂。7.如权利要求6所述的药液的鉴定方法，其特征在于，根据上述α的大小来判断上述液体的良好与否。8.如权利要求5所述的药液的鉴定方法，其特征在于，上述药液是抗蚀剂溶液、含有低电介质材料的溶液或者含有强电介质材料的溶液。9.一种药液的鉴定方法，包括利用液体中颗粒计数器，求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；用指数函数或者幂函数来表示上述粒子的大小和与其对应的粒子数量之间的关系；将上述指数函数的系数以及上述幂函数的幂中的至少一个和预定值进行比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤信一，盐原英志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]