包括相变材料的电子器件制造技术

电子器件（１、１００）包括含有能够处于第一相位和第二相位的相变材料的电阻器（３６、２５０）。电阻器（３６、２５０）具有当相变材料处于第一相位时具有第一值，当相变材料处于第二相位时具有第二值的电阻。电阻器（３６、２５０）电连接到第一导体（３、１３０Ａ、１３０Ｂ）和第二导体（４、２７０），它们能够传导加热相变材料的电流，使相变材料能从第一相位转变为第二相位。电子器件（１、１００）还包括介电材料层（２０、３９、１２６、１４０、２６０），用于降低在加热期间流向不含电阻器（３６、２５０）的本体（２、１０１）部分的热量，根据本发明专利技术的介电材料包括具有尺寸在０．５与５０ｎｍ之间的小孔的多孔材料。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件，其本体具有包括能够处于第一相位和第二相位的相变材料的电阻器，电阻器有带有第一接触区和第二接触区的表面，电阻器在第一接触区与第二接触区之间具有电阻，当相变材料处于第一相位时电阻具有第一值，当相变材料处于第二相位时电阻具有第二值，第一导体电连接到第一接触区，第二导体电连接到第二接触区，第一导体、第二导体和电阻器能够传导加热相变材料的电流，使相变材料从第一相位转变为第二相位，介质材料层用于降低在加热期间流向本体的其它部件的热量。WO-A 00/57,498公开了在开篇段中介绍的电子器件的实施例。已知的器件包括包含相变材料的电阻器，相变材料例如可以是Te81Ge15S2As2、Te81Ge15S2Sb2或包含比例按(TeaGebSb100-(a+b))cTM100-c的Te、Ge、Sb和一种或多种过渡金属TM的材料，其中下标是原子百分数，a低于百分之70，b高于百分之5并且低于百分之50，c在百分之90和99.99之间。相变材料能够处于第一相位，例如晶形，并且能够处于第二相位，例如非晶形。或者，假若具有处于第一相位的相变材料的电阻器和具有处于第二相位的相变材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有本体（２、１０１）的电子器件（１、１００），其本体具有：－包含能够处于第一相位和第二相位的相变材料的电阻器（３６、２５０），该电阻器（３６、２５０）具有带有第一接触区（５、１３２）和第二接触区（６、２７２）的表面，该电阻器（ ３６、２５０）在第一接触区（５、１３２）与第二接触区（６、２７２）之间具有电阻，当相变材料处于第一相位时该电阻具有第一值，当相变材料处于第二相位时，电阻具有第二值，－电连接到第一接触区（５、１３２）的第一导体（３、１３０）， －电连接到第二接触区（６、２７２）的第二导体（４、２７０），－第一导体（３、１３０）、第二导体（...

【技术特征摘要】
EP 2002-10-11 02079220.61.一种具有本体(2、101)的电子器件(1、100)，其本体具有-包含能够处于第一相位和第二相位的相变材料的电阻器(36、250)，该电阻器(36、250)具有带有第一接触区(5、132)和第二接触区(6、272)的表面，该电阻器(36、250)在第一接触区(5、132)与第二接触区(6、272)之间具有电阻，当相变材料处于第一相位时该电阻具有第一值，当相变材料处于第二相位时，电阻具有第二值，-电连接到第一接触区(5、132)的第一导体(3、130)，-电连接到第二接触区(6、272)的第二导体(4、270)，-第一导体(3、130)、第二导体(4、270)和电阻器(36、250)能够传导加热相变材料的电流，使相变材料能从第一相位转变为第二相位，以及-介电材料层(20、39、126、140、260)，用于降低在加热期间流向不含电阻器(36、250)的本体(2、101)部分的热量，该介电材料包括具有尺寸在0.5与50nm之间的小孔的多孔材料。2.权利要求1的电子器件(1、100)，其中小孔具有1和10nm之间的尺寸。3.权利要求1的电子器件(1、100)，其中小孔基本不含水。4.权利要求1的电子器件(1、100)，其中小孔具有疏水性表面。5.权利要求4的电子器件(1、100)，其中多孔材料包括有机硅酸盐，且所述疏水性表面具有烃基。6.权利要求5的电子器件(1、100)，其中通过以下步骤获得多孔材料-在衬底上涂覆包含四烷氧基硅、烃基烷氧基硅烷、表面活性剂和溶剂的组合物的液层，其中四烷氧基硅与烃基烷氧基硅烷之间的摩尔比至多为3∶1，和-加热所述液层以除去表面活性剂和溶剂，并形成疏水性多孔层。7.权利要求6的电子器件(1、100)，其特征在于所述表面活性剂为阳离子表面活性剂，并且表面活性剂与烷氧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：MHR兰克霍尔斯特，FK德泰耶，ER梅因德尔斯，RM沃尔夫，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]