【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及能够将许多片或较多片晶片，例如硅晶片等半导体晶片，特别是层叠了太阳能电池用的半导体晶片的晶片叠层体的最上层的晶片，从相邻的下侧的晶片上安全、简单并且可靠地拉开的新型的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离转移机。
技术介绍
一直以来，从硅锭等切片而切出的薄层状的硅晶片等半导体晶片(以下简称为晶片)，其后进行各种处理而被制成最终产品。在该晶片的各种处理中，通常将许多片或较多片晶片层叠而形成晶片叠层体(通称为硬币堆)，从该晶片叠层体中逐片拉开晶片而对每个晶片进行处理。但是，例如像在从锭材中切片的晶片的表面上残存附着有含有油脂的磨料剂(料浆)那样，经常在各种处理后的晶片表面附着有油脂等液体。在将许多片或较多片晶片层叠的情况下，由于存在于晶片面上的这些液体的表面张力，虽然可以将晶片向侧方移动，但是很难从相邻的下侧的晶片上向上方拉开。所以，本专利技术人提出了如下的晶片分离装置，即，使层叠了许多片或较多片的晶片的晶片叠层体的最上层的晶片的周缘部向上方翘起，向该最上层的晶片的下面和相邻的下层的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升...
【技术保护点】
一种晶片分离方法，是从层叠了许多片或较多片的晶片的晶片叠层体上将最上层的晶片分离的晶片分离方法，其特征是，在从该最上层的晶片的惯析线轴绕顺时针或逆时针错开角度１５°～７５°的轴向上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于该轴向上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。
【技术特征摘要】
1.一种晶片分离方法，是从层叠了许多片或较多片的晶片的晶片叠层体上将最上层的晶片分离的晶片分离方法，其特征是，在从该最上层的晶片的惯析线轴绕顺时针或逆时针错开角度15°～75°的轴向上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于该轴向上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。2.根据权利要求1所述的晶片分离方法，其特征是，所述从惯析线轴绕顺时针或逆时针错开的轴向的角度为30°～60°。3.根据权利要求1或2所述的晶片分离方法，其特征是，在使所述最上层的晶片上升而分离时，使该最上层的晶片在水平方向上倾斜的同时上升。4.一种晶片分离装置，是从层叠了许多片或较多片的晶片的晶片叠层体上将最上层的晶片分离的晶片分离装置，其特征是，具有被上下自由移动地设置的支撑板、设于该支撑板的下面的晶片轴推压机构、设于该支撑板的下面周边部并对该最上层的晶片的上面周边部的相面对的1对以上的吸附位置进行吸附的晶片吸附机构、以及与该晶片吸附机构对应地设于其外方的流体喷射机构，利用该晶片推压机构，在从该最上层的晶片的惯析线轴绕顺时针或逆时针错开了角度15°～75°的轴向上推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生在该轴向上的方式，利用该晶片吸附机构对该最上层的晶片的上面周边部的夹隔晶片的中心部而相面对的1对以上的吸附位置进行吸附，在使该晶片的周缘部在1对以上的吸附位置上向上方翘起的同时，向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间利用该流体喷射机构吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。5.根据权利要求4所述的晶片分离装置，其特征是，所述从惯析线轴绕顺时针或逆时针错开的轴向的角度为30°～60°。6.根据权利要求4或5所述的晶片分离装置，其特征是，所述晶片轴推压机构由沿一个方向并列设置于该支撑板的下面的多个晶片推压构件构成。7.根据权利要求4或5所述的晶片分离装置，其特征是，所述晶片轴推压机构由设于该支撑板的下面的沿一个方向尺寸较长的晶片推压构件构成。8.根据权利要求4～7中任意一项所述的晶片分离装置，其特征是，设置2对以上的所述晶片吸附机构...
【专利技术属性】
技术研发人员：土屋正人，真下郁夫，斋藤公一，
申请(专利权)人：三益半导体工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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