掺杂装置制造方法及图纸

技术编号:3198230 阅读:142 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明专利技术的一个特征为:将离子流的截面取为线状或正方形,而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变,同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明专利技术中,通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态,从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制作具有用薄膜晶体管(下文称为TFT)构成的电路的半导体器件时使用的掺杂装置。本专利技术尤其涉及在达到处理大面积衬底的目的方面具有良好结构的掺杂装置。本说明书中,半导体器件是指通过利用半导体特性能起作用的全体器件,光电器件、半导体电路和电子设备都是半导体器件。
技术介绍
使用晶圆的半导体集成电路的制作中,半导体掺入授予n型或p型的杂质元素,以形成杂质生长区。此方法已熟知。使离子质量与电荷比分开的方法称为离子注入法,广泛用于制作半导体集成电路时。产生具有杂质的等离子体,用高电压加速该等离子体中的杂质离子,使其作为离子流(离子雨)注入半导体中。此掺杂方法称为离子掺杂法或等离子体掺杂法,广泛用于使用玻璃衬底的液晶显示器等的制造工序中。具有半导体电路的电子设备的制造中,为了高效率进行大量生产,常进行多件提取,其中不是用晶圆衬底而是用母玻璃衬底,从一块母玻璃衬底切出多个器件。母玻璃衬底的规模从1990年初的第1代的300×400mm开始,2000年为第4代,大型化到680×880mm或730×920mm,从一块衬底能提取多个器件,其典型为显示板。这样,生产技术一直在进步。以往本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂装置,其特征在于,包括产生与离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述离子流的单元,对衬底照射离子流的单元,以及一面使所述衬底为对垂线倾斜的姿态保持不变,一面使所述衬底进行单向移动的衬底位置控制单元,对所述进行移动且姿态倾斜的衬底,照射所述离子流。

【技术特征摘要】
JP 2004-6-14 2004-1762301.一种掺杂装置,其特征在于,包括产生与离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述离子流的单元,对衬底照射离子流的单元,以及一面使所述衬底为对垂线倾斜的姿态保持不变,一面使所述衬底进行单向移动的衬底位置控制单元,对所述进行移动且姿态倾斜的衬底,照射所述离子流。2.一种掺杂装置,其特征在于,串行配置衬底运入室、掺杂室、以及衬底运出室,所述掺杂室具有产生与离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述离子流的单元,以及一面使所述衬底为对垂线倾斜的姿态保持不变,一面使所述衬底进行单向移动的衬底位置控制单元,对从所述衬底运入室经所述掺杂室到所述衬底运出室进行单向移动的所述衬底,照射所述离子流。3.一种掺杂装置,其特征在于,串行配置衬底运入室、掺杂室、以及衬底运出室,所述掺杂室具有产生与第1离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述第1离子流的第1单元,产生与第2离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述第2离子流的第2单元,以及一面使所述衬底为对垂线倾斜的姿态保持不变,一面使所述衬底进行单向移动的衬底位置控制单元,对从所述衬底运入室经所述掺杂室到所述衬底运出室进行单向移动的所述衬底,照射多个离子流。4.如权利要求1所述的掺杂装置,其特征在于,还具有对所述衬底加热的加热单元。5.如权利要求2所述的掺杂装置,其特征在于,还具有对所述衬底加热的加热单元。6.如权利要求3所述的掺杂装置,其特征在于,还具有对所述衬底加热的加热单元。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平肥塚纯一篠田裕人中村理磯部敦生山口哲司鄉戶宏充
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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