【技术实现步骤摘要】
本专利技术是与由逻辑LSI(逻辑大规模集成电路)、DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM(静态随机存取存储器)所代表的存储器LSI及双极晶体管构成的LSI等的半导体有关。
技术介绍
近年来，随着布线的微细化和多层化，以布线层的低电阻化为目的，将铜作为布线材料来使用的情况是越来越多。铜布线的形成方法，通常采用有利于形成微细图形的电镀法。电镀法采用的手法是如图20所示，从与晶片的周边部分接触的端子22往其内部的多个芯片区域11供给电流，在形成铜膜时成为籽的铜片上析出铜。由于该铜片在电镀时起电流供给线路的作用，所以电镀前要预先用溅射法在晶片的整个表面形成。但是最近，布线的微细化进一步发展，铜片自身的厚度薄膜化，降到了50nm以下。因此，如图21所示，阻挡金属18上的铜片19的电阻值增大，晶片中央与其周边相比，电压的下降量大。其结果是，在铜片19上电镀的铜的厚度(镀膜厚度)的偏差变大。另外，作为抑制铜片上电镀的铜厚度的偏差的技术，有人提出以下两种手法在晶片的中央部新设置电流源的手法，和在晶片面内控制电镀液的电阻分布的手法。但是，前者会给晶片上带来粉尘，后者必须对电镀...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个芯片区域，形成具有采用了金属布线的多层布线构造的半导体集成电路，分别成为独立的芯片； 多个芯片圈，具有采用了上述金属布线的多层布线构造，分别包围上述多个芯片区域，其中， 上述多个芯片圈相互间电连接。
【技术特征摘要】
JP 2004-6-28 2004-1899291.一种半导体器件，其特征在于，包括多个芯片区域，形成具有采用了金属布线的多层布线构造的半导体集成电路，分别成为独立的芯片；多个芯片圈，具有采用了上述金属布线的多层布线构造，分别包围上述多个芯片区域，其中，上述多个芯片圈相互间电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述多个芯片圈与切割线重叠的区域，占形成上述多个芯片圈的全部区域的不到10％。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述多个芯片圈总体上是格子状。4.一种LSI芯片，具...
【专利技术属性】
技术研发人员：东和幸，松永范昭，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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