本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管制造方法，包含：在一基板上形成一栅极；在基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住栅极；图案化金属层及半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在基板上形成一图案化第一保护层并露出图案化的金属层；在基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化的第一保护层及该图案化的金属层；在基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层；蚀刻栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，形成图案化像素电极层、源极及漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区；在该基板上形成第二保护层；以及去除该图案化光刻胶层使部分该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管制造领域，特别是涉及一种四道光罩工艺的。
技术介绍
请参阅图1A至图1F，为显示公知的流程剖面示意图。如图1A所示，以溅镀法(sputtering)在一绝缘的基板100上沉积上一第一金属层(图未显示)，然后利用一光刻工序将该第一金属层加以蚀刻，而在该基板100上形成一栅极导线101，其中该基板100为无碱玻璃，而该第一金属层例如是铝层、铬层或钼层，而蚀刻制程是湿蚀刻制程。如图1B所示，利用离子增长型化学气相沉积法(PECVD)依序在该基板100上依序沉积一栅极绝缘层102、一半导体层103及一欧姆接触层104并覆盖住该栅极导线101上，接着以一光刻工序将该半导体层103及该欧姆接触层104加以蚀刻，以形成一图案化的欧姆接触层104及一图案化的半导体层103，其中蚀刻的方法为干法刻蚀(dry etching)，该半导体层103为非晶硅层，该欧姆接触层104为N型掺杂非晶硅层，该栅极绝缘层102是氮化硅层。如图1C至图1D所示，以溅镀法在该欧姆接触层104上沉积一第二金属层105并覆盖住栅极绝缘层102，接着以一光刻工序将该第二金属层105加以蚀刻，以图案化该第二金属层105而形成一源极105a、一漏极105b，再以信道回蚀工艺(back channel etching，BCE)对该欧姆接触层104及该半导体层103加以蚀刻以形成一信道区106，其中该第二金属层105可以是铝层、铬层或钼层。如图1E所示，利用离子增长型化学气相沉积法，在该基板100上沉积一保护层107，覆盖住图案化该第二金属层105及该栅极绝缘层102，利用一光刻工序将该保护层107加以蚀刻以形成一图案化保护层107，而于该漏极105b上方形成一接触孔108，其中该保护层107是氮化硅层。如图1F所示，以溅镀法在该基板100上沉积一像素电极层109，利用一光刻工序，图案化该像素电极层109，其中该像素电极层109是氧化铟锡。上述薄膜晶体管的制作是使用了五次光刻工序。光刻的工艺包括多个步骤，其中有清洗、光刻胶涂布、以光罩曝光、生成光刻胶层图案然后蚀刻。所以减少光刻工序的次数可以减少制造过程的时间、成本及提高合格率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，解决现有技术因光刻工序的次数过多而产生的时间、成本较高的问题。为达到上述目的，本专利技术提供了1、一种，其特点在于，包含下列步骤在一基板上形成一栅极；在该基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住该栅极；图案化该金属层及该半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在该基板上形成一图案化第一保护层并露出该图案化金属层；在该基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化第一保护层及该图案化金属层；在该基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层；蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，以形成一图案化像素电极层、一源极及一漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区；在该基板上形成一第二保护层；去除该图案化光刻胶层而使部份该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。上述的，其特点在于，还包含下列步骤在蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层之后，对该图案化半导体层进行一信道回蚀工序(back channel etching，BCE)。上述的，其特点在于，该金属层选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层/钼层所构成的群组。上述的，其特点在于，该栅极选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层所构成的群组。上述的，其特点在于，该第一保护层为氮化硅层。上述的，其特点在于，该第一保护层为二氧化硅层。上述的，其特点在于，该第二保护层为氮化硅层。上述的，其特点在于，该第二保护层为二氧化硅层。上述的，其特点在于，该像素电极层为氧化铟锡。上述的，其特点在于，该半导体层为非晶硅层。为了更好的实现本专利技术的目的，本专利技术又提供了一种，其特点在于，包含下列步骤在一基板上形成一栅极；在该基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层及一金属层并覆盖住该栅极；图案化该金属层、该欧姆接触层及该半导体层，该图案化金属层、该图案化欧姆接触层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在该基板上形成一图案化第一保护层，并露出该图案化金属层；在该基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化第一保护层及该图案化金属层；在该基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层；蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，以形成一图案化像素电极层、一源极及一漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区；在该基板上形成一第二保护层；去除该图案化光刻胶层而使部份该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。上述的，其特点在于，还包含下列步骤在蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层之后，对该图案化半导体层进行一信道回蚀工序(back channel etching，BCE)。上述的，其特点在于，该欧姆接触层为掺杂硅层。上述的，其特点在于，该金属层选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层/钼层所构成的群组。上述的，其特点在于，该栅极选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层所构成的群组。上所述的，其特点在于，该第一保护层为氮化硅层。上述的，其特点在于，该第一保护层为二氧化硅层。上述的，其特点在于，该第二保护层为氮化硅层。上述的，其特点在于，该第二保护层为二氧化硅层。上述的，其特点在于，该像素电极层为氧化铟锡。上述的，其特点在于，该半导体层为非晶硅层。本专利技术的技术效果在于 与公知需五次光刻工序的薄膜晶体管的制造方法相较，本专利技术薄膜晶体管的制造方法仅需四次光刻工序，可以减少制造过程的时间及成本，提升合格率并增加生产效率。下面结合附图进一步详细说明本专利技术的具体实施例。附图说明图1A至图1F为显示公知的流程剖面示意图；及图2A至图2J为显示本专利技术的流程剖面示意图。其中，附图标记说明如下100 基板101 栅极导线102 栅极绝缘层103 半导体层104 欧姆接触层105 第二金属层105a 源极105b 漏极106 信道区107 保护层108 接触孔109 像素电极层200 基板201 栅极导线202 半导体层202a 半导体层203 第二金属层203a 图案化的第二金属层204 第一保护层205 像素电极层205a 图案化像素电极层 206 图案化光刻胶层207 信道区208 第二保护层208a 图案化第二保护层209 欧姆接触层209a 图案化欧姆接触层210 栅极绝缘层211 源极212 漏极213 图案化光刻胶层的侧边具体实施方式请参阅图2A至图2F，其为显示本专利技术的流程剖面示意图。如图2A所示，以物理气相沉积法例如是溅镀法(sputtering)，在一绝缘的基板200上沉积上一第一金属层(图未显示)，然后利用一光刻工序将该第一金属层加以蚀刻，而在该基板200上形成一栅极导线201，其中该基板200为无碱玻璃，而该第一金属层例如是铝层、铬层、钼层、铝钕合金层或堆栈的钼层/铝钕合金层，而蚀刻工艺例如是湿蚀刻工艺或是干蚀刻工艺。如图2B所示，利用离子增长型化学气相沉积法(P本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，包含下列步骤： 在一基板上形成一栅极； 在该基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住该栅极； 图案化该金属层及该半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极； 在该基板上形成一图案化第一保护层并露出该图案化金属层； 在该基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化第一保护层及该图案化金属层； 在该基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层； 蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，以形成一图案化像素电极层、一源极及一漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区； 在该基板上形成一第二保护层；以及 去除该图案化光刻胶层而使部份该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，包含下列步骤在一基板上形成一栅极；在该基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住该栅极；图案化该金属层及该半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在该基板上形成一图案化第一保护层并露出该图案化金属层；在该基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化第一保护层及该图案化金属层；在该基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层；蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，以形成一图案化像素电极层、一源极及一漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区；在该基板上形成一第二保护层；以及去除该图案化光刻胶层而使部份该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，还包含下列步骤在蚀刻该栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层之后，对该图案化半导体层进行一信道回蚀工序。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该金属层选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层/钼层所构成的群组。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该栅极选自铝层、铬层、钼层、铝钕合金层及堆栈的钼层/铝钕合金层所构成的群组。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该第一保护层为氮化硅层。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该第一保护层为二氧化硅层。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该第二保护层为氮化硅层。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该第二保护层为二氧化硅层。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该像素电极层为氧化铟锡。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该半导体层为非晶硅层。11.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，包含下列步骤在一基板上形成一栅极；在该基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴英明，苏大荣，许翼材，高金字，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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