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本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法，包含：在一基板上形成一栅极；在基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住栅极；图案化金属层及半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在基板上形成一图案化第一保护层并露出图案化的...
该专利属于中华映管股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中华映管股份有限公司授权不得商用。

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