抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法技术

本发明专利技术是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明专利技术提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥２５６兆Ｄ－ＲＡＭ的超高集成半导体硅片（其厚度≤０．１３μｍ）的浅槽隔离ＣＭＰ生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光浆料，具体的说是一种化学机械抛光(以下简称‘CMP’)浆料，可用于半导体薄片表面的化学机械抛光。更具体的说，本专利技术涉及了一种高性能抛光浆料的制备方法及其抛光基板的方法。这种抛光浆料在256兆或更高的D-RAM超高集成半导体硅片(设计标准≤0.13μm)制作工艺的浅槽隔离CMP过程中，对用作阻隔膜的氮化物层具备高选择性，并且可减少抛光面上微观划痕的出现。
技术介绍
CMP是一种半导体加工技术，即在夹持晶片与抛光垫之间导入抛光浆料，在其化学腐蚀对加工表面进行抛光的同时还进行机械抛光。这种方法自从上个世纪八十年代由美国IBM公司开发成功至今，现今已成为全球生产亚微米级半导体芯片的最基本的方法。抛光浆料按其所要处理表面的种类大致可分为氧化物抛光浆料、金属抛光浆料和多硅晶片抛光浆料等三种。氧化物抛光浆料适用于抛光STI工艺中绝缘膜的表面以及氧化硅的表面，它大致由抛光粒子、脱离子水、pH稳定剂和表面活性剂等成分组成。其中的抛光粒子在抛光中所起的作用就是通过抛光机产生的压力采用机械的方法对被加工物表面进行抛光处理。抛光粒子的成分可以是氧化硅(SiO2)、二氧化铈(Ce本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光浆料，其特征在于通过改变抛光粒子的比表面积来最大限度地降低抛光粒子的结块程度，改善其分散稳定性。

【技术特征摘要】
KR 2004-8-26 10-2004-0067536;KR 2004-7-28 10-2004-1.一种抛光浆料，其特征在于通过改变抛光粒子的比表面积来最大限度地降低抛光粒子的结块程度，改善其分散稳定性。2.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子的比表面积范围为1～100m2/g。3.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子的比表面积范围为3～72m2/g。4.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子的比表面积范围为5～25m2/g。5.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子粒度范围为15～40nm。6.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子粒度范围为18～30nm。7.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子粒度范围为20～25nm。8.根据权利要求1所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子比表面积通过煅烧过程中的煅烧温度或持温时间控制。9.一种包括抛光粒子、脱离子水与分散剂的抛光浆料，在强制分散处理前后，通过分散剂的填加量与填加时机控制使其中的抛光粒子的结块程度从而使其降至最低，抛光粒子的中值粒径(dD50)范围为≤30。10.根据权利要求9所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子的中值粒径(dD50)范围为≤10。11.根据权利要求9所述的抛光浆料，其特征在于其电导率为300～900μs/cm。12.根据权利要求9所述的抛光浆料，其特征在于其电导率为500～600μs/cm。13.根据权利要求9所述的抛光浆料，其特征在于其中所述的分散剂由阴离子化合物组成，此阴离子化合物可以是下面所列物质中的一种或几种聚甲基丙稀酸、聚丙稀酸，聚甲基丙稀酸铵、聚羧酸铵与羧酸-丙烯酸聚合物。14.根据权利要求1至13所述的任何一种抛光浆料，其特征在于其中所述的抛光粒子成分为二氧化铈。15.一种制备抛光浆料的方法，包括制备抛光粒子、脱离子水与分散剂；制备抛光粒子、脱离子水与分散剂的混合物；以及研磨抛光粒子、脱离子水与分散剂的混合物。16.根据权利要求15所述的制备抛光浆料方法，其中抛光粒子、脱离子水与分散剂的混合物的制备包括研磨抛光粒子与脱离子水的混合物；测量抛光粒子与脱离子水的混合物的PH值；根据PH值确定所需填加分散剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大亨，洪锡敏，全宰贤，白云揆，朴在勤，金容国，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR[]