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本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥２５６兆Ｄ－ＲＡＭ的超高集成半导体硅片（其厚度≤０．１３...该专利属于K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团授权不得商用。