半导体装置的识别编码形成方法、识别方法和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于：提供利用半导体装置本身进行低成本的半导体装置的识别方法、和在该识别方法中所用的识别编码。将具有触发器、ＲＡＭ或者ＳＲＡＭ等存储器单元的半导体装置的电源打开，取得从各存储器单元最初输出的Ｈｉ或者Ｌｏ逻辑信号。并且，将该逻辑信号的组合作为固有识别编码，使用在半导体装置的识别中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将多个触发器或者RAM(Randam Access Memory)这种输出Hi/Lo两个值的电路形成在衬底上而构成的半导体装置的识别编码形成方法、半导体装置的识别方法和半导体装置。
技术介绍
在管理半导体集成电路的制造工序时、和进行不良分析时等，必须要识别从半导体衬底形成的各个片状元件(芯片)。例如，为了对出库后的集成电路的不良原因进行分析并采取对策，必须要一直向前追溯到半导体制造工序或者装配封装工序的履历来进行调查。并且，当在扩散工序中寻找原因时，通过确定制造该成为不良芯片的期间、批量、晶片以及在晶片中的位置，能够确定该芯片在各工序中接受处理的条件。为了能够进行这样的识别，在出库前对各半导体装置(芯片、片状元件)标注特有的识别号码和记号。作为以往的半导体装置的设别方法，有利用激光调整器(lasertrimmer)，让识别信息存储在半导体芯片上所形成的元件识别用模式中的方法、和向内装在半导体芯片中的永久存储器写入该芯片的识别信息的方法。并且，在日本特开2003-203832号公报中，记载有利用在具有绝缘表面的衬底上形成的TFT的特性偏差来生成识别号码的方法。该方法如下根据TFT的特性偏差，事先在芯片上形成衬底识别电路，其中，该衬底识别电路含有将一比特随机数输出的固有比特生成电路，使其生成一比特随机数，让芯片具有固有的数值，将其作为识别号码使用。但是，在利用激光调整器存储各半导体装置的识别信息的方法中，必须导入激光调整器，且信息写入的操作较复杂。并且，在使用永久存储器的方法中，即使在本来不需要永久存储器的半导体装置中也必须追加该工序，不管是哪种方法都具有花时间和增加成本的缺点。并且，虽然在日本特开2003-203832号公报中记载的方法，由于为利用半导体装置本身具有的TFT的方法，因此成本较低，但是用该方法能够识别的仅是具有在拥有绝缘表面的衬底上形成的TFT的半导体装置。所以，具有这样的缺点不能作为由形成在硅衬底上的MOS型晶体管和双极型晶体管构成的一般半导体装置的识别方法使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述课题，提供利用半导体装置本身进行低成本的半导体装置的识别方法、和在该识别方法中所用的识别编码。本专利技术的半导体装置的识别编码形成方法，为具有将逻辑值输出的多个单元的半导体装置的识别编码形成方法。其特征在于，包括当向上述电路投入电源时，取得从上述单元的每一个单元输出的逻辑值的步骤(a)；以及用上述逻辑值形成上述半导体装置的识别编码的步骤(b)。与稳定动作时相比，向半导体装置投入电源后最初输出的逻辑值大大地反映出半导体装置的制造偏差。所以，由于能够在各单元获得固有的逻辑值，因此能够获得可更正确地进行半导体装置的识别的识别编码。并且，由于能够利用半导体装置本身获得识别编码，因此能够简化识别及降低成本。并且，由于能够获得的识别编码，是根据该半导体装置本身所具有的晶体管特性偏差而形成的，因此无论是晶片状态，还是组装后的封装状态，或者是芯片状态的任一状态，都能够较容易地取得识别信息。在上述步骤(a)后，可以还包括再次向上述半导体装置投入电源，取得从上述单元的每一个单元输出的逻辑值的步骤(c)。在上述步骤(b)中，可以形成将上述多个单元中的、在上述步骤(a)及上述步骤(c)中逻辑值发生变动的不稳定单元屏蔽的固有编码，作为上述识别编码中的一个编码。这里，「屏蔽」的意思是指，不稳定单元的输出为「0」，在固有编码中，一直输出「0」的单元和不稳定单元的逻辑值都为「0」。此时，由于在固有编码中没有反映出来自不稳定单元的输出值，因此即使是拥有特性偏差的不稳定单元的半导体装置，也能够获得可更正确地进行识别的识别编码。在上述步骤(b)中，可以还形成上述单元中的、只有上述不稳定单元的逻辑值成为「0」的屏蔽编码，作为上述识别编码的一个编码。此时，能够利用固有编码和屏蔽编码进行更准确的识别。具体地说，将成为识别对象的半导体装置的固有编码(对象固有编码)、和用于比较的屏蔽编码(比较屏蔽编码)进行“与”运算；将成为识别对象的屏蔽编码(对象屏蔽编码)、和用于比较的固有编码(比较固有编码)进行“与”运算。并且，通过比较这两个值，能够更正确地进行半导体装置的识别。在上述步骤(a)之前，可以在向所有上述多个单元写入「0」或者「1」后，切断上述电源；在上述步骤(c)之前，也可以在向所有上述多个单元写入「0」或者「1」后，切断上述电源。此时，在步骤(a)中，不稳定单元受到初始化时的剩余电荷的影响，当写入「0」时输出「0」，当写入「1」时输出「1」。因此，能够更确切地检测出不稳定单元。在上述步骤(b)中，可以仅利用在上述步骤(a)中获得的逻辑值和在上述步骤(c)中获得的逻辑值中的、「1」的比例大于或等于规定值的逻辑值，来形成上述固有编码。此时，在即使投入电源，单元也没有进入将数据读出的状态的情况下，能够避免使用所获得的「0」较多的逻辑值来形成固有编码。因此，能够防止在最终获得的固有编码中「0」的数据较多的现象。在进行上述步骤(a)后，进行上述步骤(c)前，可以还包括利用在上述步骤(a)中获得的逻辑值来形成中间识别编码的步骤(e)。在上述步骤(b)中，若在上述步骤(c)中获得的逻辑值和上述中间识别编码的汉明距离小于或等于规定值的话，可以利用执行上述步骤(c)而获得的逻辑值来形成上述识别编码。此时，由于能够不使用与其它逻辑值差异较大的逻辑值来形成识别编码，因此能够获得更正确的识别编码。另外，在上述步骤(c)后，可以还包括利用在上述步骤(c)中获得的逻辑值，来形成中间识别编码的步骤(f)。在上述步骤(b)中，若上述中间识别编码和在上述步骤(a)中获得的逻辑值的汉明距离小于或等于规定值的话，可以利用在上述步骤(a)中获得的逻辑值，来形成上述识别编码。此时，由于能够不使用与其它逻辑值差异较大的逻辑值来形成识别编码，因此能够获得更正确的识别编码。上述单元，最好为通过切断电源消去所保持的逻辑值的单元。上述单元，可以为触发器或者SRAM。本专利技术的半导体装置的识别方法，为利用通过上述半导体装置的识别编码形成方法而形成的上述识别编码的半导体装置的识别方法，通过将在成为识别对象的半导体装置中所取得的上述固有编码和比较用屏蔽编码进行“与”运算后的第1值、以及在成为识别对象的半导体装置中所取得的上述屏蔽编码和比较用固有编码进行“与”运算后的第2值加以比较，来进行识别。通过此方法进行识别，能够大大地提高准确地识别半导体装置的比率。可以通过判断上述第1值和上述第2值是否完全一致来进行识别。可以通过判断上述第1值和上述第2值的汉明距离是否小于或等于规定值来进行识别。本专利技术的半导体装置，可以包括具有将逻辑值输出的多个单元的逻辑值输出电路；以及当向上述逻辑值输出电路投入电源时，取得从上述单元的各单元输出的逻辑值，形成上述逻辑值输出电路的识别编码的识别编码生成电路。与稳定动作时相比，向半导体装置投入电源后最初输出的逻辑值，大大地反映出半导体装置的制造偏差。因此，能够在该识别编码生成电路中，在构成电路的各单元获得固有的逻辑值。所以，使用本专利技术的半导体装置，能够更正确地进行识别。可以还包括将上述多个单元中的、每从上述逻辑值输出电路输出上述逻辑值时就发生变动的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的识别编码形成方法，具有将逻辑值输出的多个单元的电路，其特征在于：包括：当向上述电路投入电源时，取得从上述单元的每一个单元输出的逻辑值的步骤（ａ）；以及用上述逻辑值形成上述半导体装置的识别编码的步骤（ｂ）。

【技术特征摘要】
JP 2004-8-23 2004-2419871.一种半导体装置的识别编码形成方法，具有将逻辑值输出的多个单元的电路，其特征在于包括当向上述电路投入电源时，取得从上述单元的每一个单元输出的逻辑值的步骤(a)；以及用上述逻辑值形成上述半导体装置的识别编码的步骤(b)。2.根据权利要求1所述的半导体装置的识别编码形成方法，其特征在于在上述步骤(a)后，还包括又一次向上述半导体装置投入电源，取得从上述单元的每一个单元输出的逻辑值的步骤(c)；在上述步骤(b)中，形成将上述多个单元中的、在上述步骤(a)及上述步骤(c)中逻辑值发生变动的不稳定单元电路屏蔽的固有编码，将其作为上述识别编码中的一个编码。3.根据权利要求2所述的半导体装置的识别编码形成方法，其特征在于在上述步骤(b)中，还形成上述单元中的、只有上述不稳定单元电路的逻辑值成为「0」的屏蔽编码，将其作为上述识别编码的一个编码。4.根据权利要求2所述的半导体装置的识别编码形成方法，其特征在于在上述步骤(a)之前，在向所有上述多个单元写入「0」或者「1」之后，切断上述电源；在上述步骤(c)之前，也在向所有上述多个单元写入「0」或者「1」之后，切断上述电源。5.根据权利要求2所述的半导体装置的识别编码形成方法，其特征在于在上述步骤(b)中，仅用在上述步骤(a)中获得的逻辑值和在上述步骤(c)中获得的逻辑值中的、「1」的比例大于或等于规定值的逻辑值，来形成上述固有编码。6.根据权利要求2所述的半导体装置的识别编码形成方法，其特征在于在进行上述步骤(a)后，进行上述步骤(c)前，还包括利用在上述步骤(a)中获得的逻辑值来形成中间识别编码的步骤(e)；在上述步骤(b)中，若在上述步骤(c)中获得的逻辑值和上述中间识别编码的汉明...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口义章，古川达也，下川浩一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]