避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备技术

一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，包含有下列步骤：制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一已被释放的释放部；将该硅微细结构放置于一充满顺磁性的气体的气室中，以及提供一磁场作用于该气体。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是与硅微细加工制程有关，特别是指一种可避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备。
技术介绍
就先行技艺所知，现有细微硅加工制程中，用以释放微结构的加工方法，一般都是使用湿蚀刻方式，利用蚀刻液来将牺牲层移除，最后再使用去离子水(Deionized Water)来加以清洗；但，当使用去离子水清洗时，容易因为静电力、毛细力、凡得瓦耳力与氢氧键的键结，而造成上下薄膜的粘着现象。目前现有细微硅加工制程中的抗粘着技术如下Kobayashi等人发表一种使用光阻来协助释放(Photo Resist AssistRelease)的方法，请参阅图1所示，首先提供一硅基板(Silicon Substrate)1，其上依序设有一牺牲层(Sacrincial Layer)2以及一结构层(Structure Layer)3，其具有至少一释放部(Release portion)3a。其次，旋涂一光阻(Photo Resist)4于该基板1上，以覆盖该牺牲层2以及该结构层3，如图2所示。接着，蚀刻该光阻4通过以移除不必要的部分，如图3所示。接着移除该释放部3a下方的牺牲层2，如图4所示。最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，包含有下列步骤：制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一需已被释放的释放部；提供一具有顺磁性的气体于该结构层的已释放部与该基板之间，以及 提供一磁场作用于该气体。

【技术特征摘要】
1.一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，包含有下列步骤制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一需已被释放的释放部；提供一具有顺磁性的气体于该结构层的已释放部与该基板之间，以及提供一磁场作用于该气体。2.依据权利要求1所述的避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，所述该气体为氧气、一氧化氮、氦气或其混合气体，以及任何具有磁性的气体。3.依据权利要求1所述的避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，所述该磁场为一交流磁场。4.一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，包含有下列步骤制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一已被释放的释放部；将该硅微细结构放置于一充满顺磁性的气体的气室中，以及提供一磁场作用于该气体。5.依据权利要求4所述的避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，所述该气体为氧气、一氧化氮、氦气或其混合气体。6.依据权利要求4所述的避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，所述该磁场为一交流磁场。7.一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的设...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄尧民，龚诗钦，林中源，何鸿钧，廖禄立，
申请(专利权)人：美律实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]