纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法技术

本发明专利技术纳米压印与光学光刻混合制作Ｔ型栅的方法，属于微电子技术中的纳米、深亚微米加工领域。一种纳米压印与光学光刻混合制作Ｔ型栅的方法，其工艺步骤如下：１．在半导体基片上涂上底层压印胶；２．用纳米压印方法压印出底层压印胶图形，获得底层栅槽图形；３．涂上顶层光学光刻胶；４．光学光刻方法曝光出顶层光学光刻胶图形；５．显影顶层光学光刻胶获得宽栅槽图形；６．氧等离子体灰化底层残余压印胶；７．蒸发、剥离栅金属，完成Ｔ型栅制作。本发明专利技术方法可以获得深亚微米、纳米Ｔ型栅结构，适合用于大规模生产。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法属于微电子技术中的纳米、深亚微米加工领域，特别涉及一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法。它的特点无须采用效率低、成本高的电子束串行曝光方法，采用并行的纳米压印与光学光刻混合的方法，成本低廉，生产效率非常高，工艺非常稳定，具有很强的实用价值。
技术介绍
对于砷化镓金属半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)和磷化铟赝配高电子迁移率晶体管(InP PHEMT)，为了提高它们的截止频率，必须缩短栅长，在缩短栅长的同时为了降低栅电阻，通常需要采用T型栅的结构。一般采用电子束光刻工艺来制作深亚微米栅长，众所周知，电子束光刻非常复杂，电子束扫描的时间无法适应大规模生产的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，它采用纳米压印制作深亚微米、纳米栅槽图形，再采用光学光刻方法曝光制作宽栅图形，从而获得深亚微米、纳米T型栅结构。为达到上述目的，本专利技术的技术解决方案是提供一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，其T型栅图形的形成是由纳米压印方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米压印与光学光刻混合制作Ｔ型栅的方法，其特征在于，其Ｔ型栅图形的形成是由纳米压印方法印出底层纳米压印胶图形，获得根部栅图形，然后涂上顶层光学光刻胶，用光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶，显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形，然后蒸发、剥离栅金属而获得Ｔ型栅。

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，其特征在于，其T型栅图形的形成是由纳米压印方法印出底层纳米压印胶图形，获得根部栅图形，然后涂上顶层光学光刻胶，用光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶，显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形，然后蒸发、剥离栅金属而获得T型栅。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤如下步骤1、在半导体基片上涂上底层压印胶；步骤2、用纳米压印方法压印出底层压印胶图形，获得底层栅槽图形，决定T型栅图形的最终栅长；步骤3、涂上顶层光学光刻胶；步骤4、光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶，决定T型栅图形的顶层尺寸；步骤5、显影顶层光学光刻胶获得宽栅槽图形，形成最终的T型栅槽图形；步骤6、用氧等离子体灰化底层残余压印胶；步骤7、蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述底层压印胶，为聚甲基丙烯酸甲酯或日本正性非化学放大电子束胶或正性化学放大电子束胶，压印胶厚度为150~300nm之间，前烘温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢常青，范东升，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]