一种负型纳米压印方法技术

一种负型纳米压印方法，由以下步骤所构成：（１）首先在硅基底蒸镀金属膜层Ｉ，并在金属膜层Ｉ上旋涂光刻胶；（２）然后在加热加压条件下将模板的纳米图案复制于光刻胶；（３）用反应离子刻蚀技术将图案转移至镀金属膜层Ｉ；（４）以光刻胶的图形为掩膜通过湿法化学腐蚀的方法腐蚀未被光刻胶掩盖的裸露金属Ｉ；（５）制得金属纳米结构。本发明专利技术的优越性：负型纳米压印技术以压印后的光刻胶为掩膜，通过湿法化学腐蚀方法制备金属结构，避免了传统纳米压印工艺的剥离工艺，可以制备线条光滑的金属结构；其所用化学腐蚀剂价格低廉；工艺易控制，可通过调节腐蚀条件和时间控制金属线宽；还可以通过化学腐蚀后蒸镀第二种金属而制备双金属结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米压印技术，特别是一种应用在金属纳米结构制备方面的负型纳米压印方法。
技术介绍
根据2003年版的国际半导体技术路线图预测，器件特征尺寸将在2008年前后达到70纳米以下。届时现行的光学光刻技术将因光刻胶和掩模板材料以及光源的限制而接近其技术极限，如果不能克服这一技术屏障，集成电路将无法继续缩小下去，因此新一代的纳米结构加工技术成为研究热点。从基本的发展原则出发，新的技术途径必须在尺寸、速度、功能和成本上获得平衡。半导体行业的技术研究人员对传统的光学光刻工艺作了一系列艰难的改进，目前可以制造出线宽仅为70纳米的复杂纳电子结构，但是这种制造方法的费用非常昂贵，用来制造线宽小于100纳米的光学光刻工具，每台造价高达数千万至数亿美元。突破70nm技术极限的光刻技术，单靠对现行光学光刻技术的改良和革新是远远不够的，会遇到越来越大的阻力，必须寻求革命性的和概念上的突破。人们看好的一种可能的替代方法是电子束刻印术。利用聚焦电子束把电路图案绘制在一层聚合物薄膜上，是目前分辨率最高的曝光方法，可以在硅基表面上作出只有几个纳米的线条，但由于是逐行扫描，其加工效率极低，难以在大批量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负型纳米压印方法，其特征在于它是由以下步骤所构成：（１）首先在硅基底蒸镀金属膜层Ｉ，并在金属膜层Ｉ上旋涂光刻胶；（２）然后在加热加压条件下将模板的纳米图案复制于光刻胶；（３）并用反应离子刻蚀技术将图案转移至镀金属膜层Ｉ；（４）然后以光刻胶的图形为掩膜通过湿法化学腐蚀的方法腐蚀未被光刻胶掩盖的裸露金属Ｉ；（５）制得金属纳米结构。

【技术特征摘要】
1.一种负型纳米压印方法，其特征在于它是由以下步骤所构成(1)首先在硅基底蒸镀金属膜层I，并在金属膜层I上旋涂光刻胶；(2)然后在加热加压条件下将模板的纳米图案复制于光刻胶；(3)并用反应离子刻蚀技术将图案转移至镀金属膜层I；(4)然后以光刻胶的图形为掩膜通过湿法化学腐蚀的方法腐蚀未被光刻胶掩盖的裸露金属I；(5)制得金属纳米结构。2.根据权利要求1所说的一种负型纳米压印方法，其特征在于步骤(5)制得的金属纳米结构通过直接以有机溶剂溶解光刻胶得到单金属纳米结构。3.根据权利要求1所说的一种负型纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国勇，焦丽颖，刘忠范，张锦，
申请(专利权)人：国家纳米技术产业化基地，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]