用于形成半导体装置和其上结构的方法制造方法及图纸

在中间层次介电层（３６）中形成仿真特征（６４，６５，４８ａ，４８ｂ）。在一个实施例中，非间隙填充介电层（７２）形成于仿真特征（６４，６５，４８ａ，４８ｂ）上以在仿真特征（６４，６５，４８ａ，４８ｂ）之间或仿真特征（４８ａ）和载流区域（４４）之间形成空隙（７４）。在一个实施例中，钝化层（３２和５４）是通过化学镀形成的以保护下面的导电区域（４４，４８ａ，４８ｂ和３０）免遭空气缝隙（７４）穿透。此外，钝化层（３２和５４）悬垂在下面的导电区域（４４，４８ａ，４８ｂ和３０）上，从而限定邻近导电区域（４８ａ，４４和４８ｂ）的仿真特征（６５ａ，６５ｂ和６７）。钝化层（３２和５４）可以形成而无须额外的构图步骤并有助于最小化失配的通孔穿透空气缝隙。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体处理，更具体地，涉及形成钝化层，其有必要用在空气缝隙形成工艺中。
技术介绍
为了减小金属互连的电容，二氧化硅(SiO2)可用低介电常数(低k)材料取代，作为中间介电(ILD)层。如这里使用的低k材料具有比SiO2低的介电常数(即，约低于4.0)。一种理想的低k材料是低压气体或真空，它们都通常称为空气或空气缝隙。空气缝隙可通过彼此靠近安置两种金属互连而形成，从而当绝缘材料沉积于半导体晶片的表面上时，绝缘材料不能完全填注这两个金属互连间的空间，于是形成空气缝隙。然而，即使空气缝隙形成，由于这两种金属互连彼此邻近，它们之间存在电容耦合。因为增加两种金属互连之间的间隔比形成空气缝隙更降低电容耦合，因此设计规则通常要求对电容耦合敏感的金属互连通常是以一定距离间隔开，该距离太大而不能形成空气缝隙。然而，这不必要地增加半导体装置或单元片(die)的尺寸。比空气不可取的低k材料(即，具有比空气高的介电常数的材料)沉积于金属互连之间，金属互连对电容敏感。因此非常有必要进一步降低金属线之间的电容。存在许多形成空气缝隙的方法。做出许多尝试以显著防止形成的未对准的通孔穿透下面的空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体装置（１０）的方法，该方法包括：提供半导体衬底（１２）；形成第一介电层（３４或３６）；构图该第一介电层以形成第一开口；在第一开口中形成导电区域（３０或４４）；和化学镀导电区域上的钝化层（ ３２或５４）。

【技术特征摘要】
US 2002-12-20 10/327,4031.一种形成半导体装置(10)的方法，该方法包括提供半导体衬底(12)；形成第一介电层(34或36)；构图该第一介电层以形成第一开口；在第一开口中形成导电区域(30或44)；和化学镀导电区域上的钝化层(32或54)。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述钝化层(32)上形成介电层(36)并在第二介电层中形成空隙(66或68)。3.一种形成半导体装置(10)的方法，该方法包括提供半导体衬底(12)；形成第一介电层(36)；构图该第一介电层以形成第一开口和第二开口，其中第一开口和第二开口彼此邻近且彼此分开；形成第一载流区域(44或48a或48b)于第一开口中；形成第二载流区域(48a或48b或44)于第二开口中；镀覆第一开口和第二开口上的第二导电层(54)以形成第一帽层(54)和第二帽层(54)，其中第一帽层和第二帽层是彼此物理隔绝的。4.一种形成半导体装置(10)的方法(300)，该方法包括提供半导体衬底(12)；形成第一介电层于该半导体衬底上；形成载流区域于该第一介电层上；蚀刻(302)该载流区域以使该载流区域凹陷；在该载流区域上提供(304)催化剂溶液以使载流区域具有催化活性；提供(306)螯合溶液以除去催化剂溶液的一部分；和于该载流区域上化学镀(308)一钝化层。5.一种半导体装置(10)，其包括半导体衬底(12)；在半导体衬底上的第一介电层(36)；在第一介电层内的第一载流区域(44，48a或48b)；具有第一介电层的第二载流区域(44，48a或48b)，其中该第二载流区域和第一载流区域彼此分开；在该第一载流区域上的第一化学镀钝化层(54)；在第二载流区域上的第二化学镀钝化层(54)，其中第二化学镀钝化层和第一化学镀钝化层物理隔离；和在该第一化学镀钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛迪K高尔德伯格，斯坦雷M菲利皮亚克，约翰C弗雷克，李勇杰，布莱德雷P史密斯，尤瑞E索罗门特塞弗，泰瑞G斯巴克斯，克尔克J斯特罗塞伍斯基，凯瑟琳C于，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]