半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供减少在半导体元件和基板的接合部发生的气泡的半导体器件的制造方法。该方法包括：把具有小片装配接合电极（１３）的ＬＥＤ芯片（１０）安装在陶瓷基板（２０）上的安装工序，所述安装工序包括：对所述陶瓷基板之上供给具有Ａｕ－Ｓｎ共晶焊料粒子（４１）的焊料糊剂（４０）的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述小片装配接合电极之上形成有Ｓｎ膜（１４）的所述ＬＥＤ芯片的工序；以及使所述Ａｕ－Ｓｎ共晶焊料粒子及所述Ｓｎ膜熔融、接合所述陶瓷基板和ＬＥＤ芯片的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及小片装配接合半导体元件和基板的半导体器件的制造方法以及半导体器件。
技术介绍
近年来，由于关于氮化镓(GaN)类化合物半导体的加工技术的发展、关于荧光体的技术的发展，半导体发光元件(以下称为LEDLight EmittingDiode，发光二极管)的应用领域正在飞跃扩大。特别，组合能够发射从紫外光到可见光的波段的光的LED与适当的荧光体的半导体发光装置，因为能够得到在显色性方面优良的白色光，所以在液晶显示器的背光源、按钮照明、汽车的各种照明等的应用正日益增加。另外作为手电筒或者照相机的闪光灯的光源使用的高输出型的半导体发光装置的开发也正在发展。近年来，如图10所示，把多个LED芯片安装在一个封装体内的新的封装体已经产品化。该封装体在陶瓷基板100之上，小片装配多个芯片200。在陶瓷基板100上小片装配下连接(junction down)结构的LED芯片200的场合，如图11所示，因为陶瓷基板100的电极表面101由于Rz为3～7μm左右的粗糙度，用历来使用的2～3μm厚度的焊料片102(例如参照专利文献1)不能抵消陶瓷基板100的电极表面101的粗糙度，有时发生接合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其包括把具有接合电极的半导体元件安装在基板上的安装工序，其特征在于，所述安装工序包括：对所述基板之上供给具有Ａｕ－Ｓｎ类焊料粒子的焊料糊剂的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述接合电极之上形 成有包含Ｓｎ或Ｓｎ合金的膜的半导体元件的工序；和使所述Ａｕ－Ｓｎ类焊料粒子以及所述包含Ｓｎ或Ｓｎ合金的膜熔融、接合所述基板和半导体元件的工序。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-24 085855/20051.一种半导体器件的制造方法，其包括把具有接合电极的半导体元件安装在基板上的安装工序，其特征在于，所述安装工序包括对所述基板之上供给具有Au-Sn类焊料粒子的焊料糊剂的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述接合电极之上形成有包含Sn或Sn合金的膜的半导体元件的工序；和使所述Au-Sn类焊料粒子以及所述包含Sn或Sn合金的膜熔融、接合所述基板和半导体元件的工序。2.一种半导体器件的制造方法，其包括把具有接合电极的半导体元件安装在基板上的安装工序，其特征在于，所述安装工序包括对所述基板之上供给具有Sn类焊料粒子的焊料糊剂的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述接合电极之上形成有包含Au-Sn合金的膜的半导体元件的工序；和使所述Sn类焊料粒子以及所述包含Au-Sn合金的膜熔融、接合所述基板和半导体元件的工序。3.一种半导体器件的制造方法，其包括把具有接合电极的半导体元件安装在基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：下川一生，牛岛彰，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]