生产半导体器件的方法技术

本发明专利技术的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在９０μｍ到２００μｍ之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明专利技术所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层１０和集电层８。在集电层８上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极９，所述铝硅薄膜的厚度为０．３μｍ到１．０μｍ，并且硅浓度在０．５ｗｔ％到２．０ｗｔ％之间，最好不超过１ｗｔ％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是可以应用于功率转换装置、并且其厚度在90到200μm之间、其后表面具备有电极的功率半导体器件。2.相关技术描述作为一种功率半导体器件的IGBT(绝缘栅极选通晶体管)是具有作为MOSFET(绝缘栅极场效应晶体管)特性的高速开关特性和电压驱动能力、以及作为双极晶体管特性的低正向压降特性的单芯片功率器件，IGBT在从诸如通用的逆变器、AC伺服系统、非间断电源(UPS)以及电源切换的工业领域到诸如微波炉、电饭锅以及手电筒的家用电器上都有应用。具有低正向压降的IGBT采用了新设计的芯片结构而有了长足的发展，并且使用IGBT的装置的能耗减少且能效提高。IGBT包括击穿型(PT型)、非击穿型(NPT型)以及场阑型(FS型)。主要的结构类型是n沟道，垂直双向扩散结构，但特殊应用中除外。相应的，对n沟道IGBT的示例做出描述，而该描述可类似使用于p沟道IGBT。PT型IGBT使用通过在p+半导体衬底上外延性生长n+缓冲层和n-活性层而形成的外延衬底。在耐受电压为600V的器件的示例中，当活性层的厚度为100μm已足够，而包括p+半导体衬底的整体厚度需要为200到300μm范本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产半导体器件的方法，所述器件在硅衬底的第一主表面区域中具有前表面器件结构，在所述硅衬底的第二主表面区域中具有后电极，所述方法包括形成所述后电极的与所述第二主表面相接触的铝硅薄膜的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2005-6-20 2005-1797201.一种生产半导体器件的方法，所述器件在硅衬底的第一主表面区域中具有前表面器件结构，在所述硅衬底的第二主表面区域中具有后电极，所述方法包括形成所述后电极的与所述第二主表面相接触的铝硅薄膜的步骤。2.如权利要求1所述的生产半导体器件的方法，还包括在所述铝硅薄膜的表面上形成缓冲金属薄膜的步骤。3.如权利要求2所述的生产半导体器件的方法，还包括在所述缓冲金属薄膜的表面上形成焊接金属薄膜的步骤，以及在所述焊接金属薄膜的表面上形成保护性金属薄膜的步骤。4.如权利要求1到3的任一项所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述铝硅薄膜的硅浓度至少为0.5wt％。5.如权利要求1到4的任一项所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述铝硅薄膜的厚度至少为0.3μm。6.如权利要求5所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述铝硅薄膜的硅浓度至多为2wt％。7.如权利要求5所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述铝硅薄膜的硅浓度至多为1wt％。8.如权利要求5到7的任一项所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述铝硅薄膜的厚度至多为1.0μm。9.如权利要求1到8的任一项所述的生产半导体器件的方法，还包括在形成所述铝硅薄膜的步骤之前，使所述硅衬底的厚度在50μm到200μm的范围内的步骤。10.如权利要求1到9的任一项所述的生产半导体器件的方法，其特征在于，所述缓冲金属薄膜是由钛或钼形成的。11.如权利要求1到10的任一项所述的生产半导体器件的方法，所述方法产生场阑型绝缘栅极双极晶体管，该双极晶体管包括在所述硅衬底的第一主表面和第二主表面之间的，从所述第一主表面开始依次为第一导电类型的漂移层、第一导电类型的缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：风间健一，中岛经宏，佐佐木弘次，清水明夫，林崇，胁本博树，
申请(专利权)人：富士电机系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]