用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出了一种用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，包括外延炉本体和设置值在外延炉本体上的控制装置，所述外延炉本体上固定设置有呈方框状的安装框，所述控制装置固定设置安装框内，所述安装框内侧的左右两侧分别固定设置有第一安装组件和第二安装组件，所述第一安装组件和第二安装组件对称设置，所述控制装置的左右两侧分别位于第一安装组件和第二安装组件内，借此，本实用新型专利技术具有方便将控制装置固定在外延炉上的优点。方便将控制装置固定在外延炉上的优点。方便将控制装置固定在外延炉上的优点。

【技术实现步骤摘要】
用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置


[0001]本技术属于外延炉设备
，特别涉及用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置。

技术介绍

[0002]目前，外延晶片，例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长，具体是将衬底置于外延炉反应室中，将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，在一定的温度及压力下借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。CVD可以生长纯度高、缺陷少的外延晶片，是半导体工业中的主流技术。目前商业化的气相沉积用外延炉，大部分为水平行星式反应室外延炉，其反应室内设置有大盘，大盘上设置若干用于放置衬底的小盘基座。大盘中心上方设置有与进气管路相通的注入器，源气由进气管路通过注入器进入反应室内部，并沿大盘的径向输运，尾气由大盘周缘的排气通道排出。大盘的底部设置有用于对反应室内进行加热的加热线圈。现有的加热线圈是一体化的类似蚊香结构环绕于大盘底部并由控制系统控制其加热程度，以使反应室内呈现一个均匀的温度，产生的外延层厚度更加均匀，加热线圈与外部显示控制器电性连接，通过外部的显示控制器进行观察和控制加热线圈对反应室内的加热温度，因此显示控制器是外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，如何将外部的显示控制器与外延炉本体固定连接是需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，解决了现有技术中的问题。
[0004]本技术的技术方案是这样实现的：一种用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，包括外延炉本体和设置值在外延炉本体上的控制装置，外延炉本体上固定设置有呈方框状的安装框，控制装置固定设置安装框内，安装框内侧的左右两侧分别固定设置有第一安装组件和第二安装组件，第一安装组件和第二安装组件对称设置，控制装置的左右两侧分别位于第一安装组件和第二安装组件内。
[0005]在将控制装置固定在外延炉上时，先将安装框固定在外延炉本体上，由于安装框是方框形结构，因此安装框的中部是空的，第一安装组件和第二安装组件分别位于安装框中部位置，控制装置左右两侧的上下两部分分别位于第一安装组件和第二安装组件内，通过第一安装组件和第二安装组件先将控制装置进行固定，第一安装组件和第二安装组件再与外延炉上设置的安装框固定，实现控制装置与外延炉之间的固定过程。
[0006]作为一种优选的实施方式，第一安装组件包括从上到下依次设置的第一安装件、第二安装件和第三安装件，第二安装件固定设置在第一安装件上，第三安装件与第一安装件间隔设置，控制装置的顶部位于第一安装件和第二安装件之间，控制装置的底部位于第三安装件内，由于第一安装组件和第二安装组件对称设置，因此第一安装组件结构的设置，使得控制装置左侧的顶部和底部可以分别插入到第一安装件和第三安装件内，控制装置右
侧的顶部和底部可以分别插入到第二安装组件中第一安装件和第三安装件内，实现了第一安装组件和第二安装组件对控制装置的固定过程。
[0007]作为一种优选的实施方式，第三安装件包括从上到下一体成型的第一件体、第二件体和第三件体，第一件体和第三件体分别垂直设置在第二件体顶部和底部，第三件体前侧垂直且一体设置有第一挡板，第三件体的左侧垂直且固定设置有第二挡板，控制装置左侧的底部位于第一挡板和第二件体之间且与第二挡板接触设置，通过第三安装件结构的设置，使得控制装置的底部插入到第二件体和第三件体之间，通过第一件体位于安装框中部的方框内，第二件体和第三件体的设置实现了对控制装置的初步固定，第三件体处设置的第一挡板和第二挡板，实现了对控制装置的进一步固定，使得控制装置的底部被第三安装件固定。
[0008]作为一种优选的实施方式，第一安装件包括一体成型的第四件体、第五件体和第六件体，第五件体横向设置，第四件体和第六件体分别垂直设置在第五件体的前后两侧且第四件体的长度小于第六件体的长度，第六件体与安装框的表面相抵，控制装置的顶部插入到第四件体和第六件体之间，实现第一安装件对控制装置顶部的固定。
[0009]作为一种优选的实施方式，第二安装件包括一体成型的第七件体和第八件体，第七件体竖向设置，第八件体垂直设置在第七件体的后侧，第六件体上开设有底部开放的插槽，第七件体的后侧开设有与插槽相对应的插块，插块插入插槽内，第七件体的前侧与第四件体的后侧之间间隔设置，控制装置位于第七件体与第四件体之间，控制装置的顶部位于第四件体与第七件体之间的空隙内，第八件体位于安装框中部中空位置的上侧，实现了第二安装件和第一安装件与控制装置之间的固定并将控制装置固定在外延炉表面的安装框处。
[0010]作为一种优选的实施方式，第一件体、第二件体、第六件体和第八件体均与安装框的表面相抵，实现了第一安装件和第二安装件与安装框之间的固定过程。
[0011]采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：
[0012]在将控制装置固定在外延炉上时，先将安装框固定在外延炉本体上，由于安装框是方框形结构，因此安装框的中部是空的，第一安装组件和第二安装组件分别位于安装框中部位置，控制装置左右两侧的上下两部分分别位于第一安装组件和第二安装组件内，通过第一安装组件和第二安装组件先将控制装置进行固定，第一安装组件和第二安装组件再与外延炉上设置的安装框固定，实现控制装置与外延炉之间的固定过程。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本技术的结构示意图；
[0015]图2为图1中控制装置和安装框连接的结构示意图；
[0016]图3为第一安装组件的结构示意图。
[0017]图中，1
‑
外延炉本体；2
‑
控制装置；3
‑
安装框；4
‑
第一安装组件；5
‑
第二安装组件；
6
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第一安装件；7
‑
第二安装件；8
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第三安装件；9
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第一件体；10
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第二件体；11
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第三件体；12
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第一挡板；13
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第二挡板；14
‑
第四件体；15
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第五件体；16
‑
第六件体；17
‑
第七件体；18
‑
第八件体；19
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插槽；20
‑
插块。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，包括外延炉本体和设置值在外延炉本体上的控制装置，其特征在于，所述外延炉本体上固定设置有呈方框状的安装框，所述控制装置固定设置安装框内，所述安装框内侧的左右两侧分别固定设置有第一安装组件和第二安装组件，所述第一安装组件和第二安装组件对称设置，所述控制装置的左右两侧分别位于第一安装组件和第二安装组件内。2.根据权利要求1所述的用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，其特征在于，所述第一安装组件包括从上到下依次设置的第一安装件、第二安装件和第三安装件，所述第二安装件固定设置在第一安装件上，所述第三安装件与第一安装件间隔设置，所述控制装置的顶部位于第一安装件和第二安装件之间，所述控制装置的底部位于第三安装件内。3.根据权利要求2所述的用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，其特征在于，所述第三安装件包括从上到下一体成型的第一件体、第二件体和第三件体，所述第一件体和第三件体分别垂直设置在第二件体顶部和底部，所述第三件体前侧垂直且一体设置有第一挡板，所述第三件体的左侧垂直且固定设置有第二挡板，所述控制装置左侧的底部位于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋宇飞，蒋焰云，朱建国，程宣林，
申请(专利权)人：无锡赛默可科技有限公司，
类型：新型
国别省市：