一种超薄衬底外延生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于外延生长装置技术领域，本实用新型专利技术提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分，本实用新型专利技术通过在调域加热装置底部设置凹透镜，通过凹透镜将电加热灯一的点光源通过折射转化为近似平行光源的方法，尽量减少由于电加热灯一的电磁波一叠加的影响使晶圆底衬中心区域温度高于其他区域的问题，从而使得晶圆底衬的整体温度趋于平均，提高外延生长的后的均匀度，从而提高产品处的芯片质量和成品率。从而提高产品处的芯片质量和成品率。从而提高产品处的芯片质量和成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄衬底外延生长装置


[0001]本技术属于外延生长装置
，具体而言，涉及一种超薄衬底外延生长装置。

技术介绍

[0002]外延生长装置广泛地使用作为用于形成在例如硅晶片的表面上的单晶层(外延层)的装置。在单个晶片型外延生长装置中，将源气体引入在其中水平地放置有晶片的反应室中时，执行加热以获得预定的温度，从而使外延层生长。
[0003]晶片需要在范围为从1000至2000摄氏度的高温下加热。可将卤素灯用作加热源。
[0004]由于外延生长的速度与厚度与晶片表面温度息息相关，而现有技术中晶片表面温度由于卤素灯照射时电磁波的叠加效应会产生晶片中心区域温度高于外侧区域温度的情况出现，从而导致晶片中心区域外延生长厚度高于外侧区域外延生长厚度，从而影响晶片质量和芯片制作的后续加工工艺的实施。

技术实现思路

[0005]本技术是这样实现的：
[0006]本技术提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，所述装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，所述装置主体内壁四周且靠近所述进气口和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体(4)，所述装置主体(4)的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口(6)和出气口(14)，其特征在于：所述装置主体(4)内壁四周且靠近所述进气口(6)和所述出气口(14)处设置有一圈凸缘(401)，所述凸缘(401)顶部并排设置有两块凹透镜(8)，两块所述凹透镜(8)将所述装置主体(4)内部分割为上下两个部分，所述装置主体(4)内壁底部转动连接有转动撑杆(1)，所述转动撑杆(1)的底部设置有支撑拖架(2)，所述支撑拖架(2)顶部中央设置有晶圆底衬(3)，所述装置主体(4)内壁的顶部且与所述凹透镜(8)对应的位置处均设置有调域加热装置(9)，所述调域加热装置(9)用于调整照射加热所述晶圆底衬(3)表面的范围，所述装置主体(4)的顶部设置有电动伸缩杆(11)和高温计(13)，所述电动伸缩杆(11)的伸缩轴端部穿过所述装置主体(4)内壁顶部固定连接有连接支架(12)，所述连接支架(12)的左右两侧分别与两个所述调域加热装置(9)连接，所述电动伸缩杆(11)用于施加所述调域加热装置(9)的动力，所述高温计(13)用于检测所述晶圆底衬(3)表面温度。2.根据权利要求1所述的一种超薄衬底外延生长装置，其特征在于：所述调域加热装置(9)包括安装盒(901)和滑动罩(904)，所述安装盒(901)的顶部与所述装置主体(4)内壁顶部固定连接，所述安装盒(901)内壁顶部沿水平方向设置有一排电加热灯一(907)，所述安装盒(901)滑动连接于滑动罩(904)内部，所述滑动罩(904)底部开设有投影孔(905)，两个所述滑动罩(904)之间固定连接有所述连接支架(12)。3.根据权利要求2所述的一种超薄衬底外延生长装置，其特征在于：所述晶圆底衬(3)顶部与两个所述凹透镜(8)底部构成的空间为气体反应区(403)，所述气体反应区(403)用于容纳反应气体(W)与所述晶圆底衬(3)表面发生反应提...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，杨玉珍，王丕龙，张永利，赵旺，朱建英，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：