一种高密度沟槽栅IGBT器件制造技术

本技术涉及半导体产品技术领域，公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件，所述IGBT芯片组件内装于盒盖组件的腔室内部，所述脚座组件底装于盒盖组件的壳体底部，且盒盖组件、IGBT芯片组件、脚座组件之间通过安装于其边角端的紧固螺栓一体拧接固定。本技术通过利用带有散热风窗的盒盖组件对IGBT芯片组件的通风式罩盖，以及利用带有导热翅片的脚座组件对IGBT芯片组件的的底封，其一方面具有良好的一体式封装性能，提高安装一体便捷性，另一方面具有上下导通散热性能，能够对IGBT芯片组件产生的机械热进行上下双同步导通散热工作，提高机械热散热效率，避免出现热量汇聚无法排散，影响IGBT芯片组件正常工作运转的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体产品，特别涉及一种高密度沟槽栅igbt器件。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为最重要的功率半导体器件之一，其在电动汽车、光伏逆变、风电、储能以及轨道交通中占据重要地位，而当前国际领先的igbt技术是高密度沟槽栅，其高密度的深沟槽在器件导通时能够将大量少数载流子存储在器件的漂移区中，能够降低器件的通态损耗，在反向阻断时，高密度的深沟槽能够提供接近平面结的反向耐压能力，高密度的沟槽栅能够有效的调节出最合适的电容比率，在开关过程中较小的开关损耗以及较优的开关特性。

2、然而现有高密度形式的沟槽栅igbt器件，其在生产封装过程中，其传统的封装部件已无法解决现有高密度沟槽栅igbt芯片所产生的机械热，导致机械热极易汇聚堆积，影响高密度沟槽栅igbt芯片使用寿命的同时，又极易出现烧坏的情况。为此，本领域技术人员提供了一种高密度沟槽栅igbt器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种高密度沟槽栅igbt器件，可以有效解决
技术介绍
中现有高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括盒盖组件(1)、IGBT芯片组件(2)、脚座组件(4)；

2.根据权利要求1所述的一种高密度沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述IGBT芯片组件(2)包括安装于绝缘基板(42)上部板面的导热基板(21)，所述导热基板(21)的板架上方安装有正对于封装盒(11)盒体内部的沟槽栅IGBT芯片(22)，所述沟槽栅IGBT芯片(22)的输入端导通连接有贯通封装盒(11)的输入线排(24)，且沟槽栅IGBT芯片(22)的输出端导通连接有贯通封盖(12)的输出线排(23)。

3.根据权利要求1所述的一种高密度沟槽栅IGBT器件...

【技术特征摘要】

1.一种高密度沟槽栅igbt器件，其特征在于，包括盒盖组件(1)、igbt芯片组件(2)、脚座组件(4)；

2.根据权利要求1所述的一种高密度沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述igbt芯片组件(2)包括安装于绝缘基板(42)上部板面的导热基板(21)，所述导热基板(21)的板架上方安装有正对于封装盒(11)盒体内部的沟槽栅igbt芯片(22)，所述沟槽栅igbt芯片(22)的输入端导通连接有贯通封装盒(11)的输入线排(24)，且沟槽栅igbt芯片(22)的输出端导通连接有贯通封盖(12)的输出线排(23)。

3.根据权利要求1所述的一种高密度沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述散热风窗(13)的通风口为斜口型结构，且通风口的倾斜角度为水平向...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，杨玉珍，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：