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一种高密度沟槽栅IGBT器件制造技术
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文档序号:43458087
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本技术涉及半导体产品技术领域,公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件,所述IGBT芯片组件内装于盒盖组件的腔室内部,所述脚座组件底装于盒盖组件的壳体底部,且盒盖组件、IGBT芯片组件、脚座组件之间通过安装于其边角端的紧固螺栓一体拧接固定。本技术...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。
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